[发明专利]半导体结构及其操作方法

权利要求书

1.一种半导体结构，其特征在于，包括：

一第一阱，具有一第一导电类型；

一第二阱，具有不同于该第一导电类型的一第二导电类型，该第二阱耦接到该第一阱；

一第三阱，具有该第二导电类型，其中，该第二阱设置在该第一阱中，该第三阱设置在该第一阱中并和该第二阱分离；

一第一重掺杂区，具有该第二导电类型，该第一重掺杂区耦接到该第一阱，该第一重掺杂区耦接到一第一节点，该第一重掺杂区设置在该第三阱中；

一第二重掺杂区，具有该第一导电类型，该第二重掺杂区耦接到该第二阱，该第二重掺杂区耦接到一第二节点；以及

至少一开关，满足下列条件(A)和(B)的至少一项：

(A)该开关耦接在该第一阱和该第一节点之间，使得该第一阱被该开关所控制并在一静电放电保护模式下浮接；及

(B)该开关耦接在该第二阱和该第二节点之间，使得该第二阱被该开关所控制并在一静电放电保护模式下浮接。

2.根据权利要求1所述的半导体结构，其中，在一通常模式下，该第一阱耦接到该第一节点，且该第二阱耦接到该第二节点。

3.根据权利要求1所述的半导体结构，其特征在于，还包括：

一第三重掺杂区，具有该第一导电类型，该第三重掺杂区耦接到该第一阱。

4.根据权利要求3所述的半导体结构，其特征在于，还包括：

一第四重掺杂区，具有该第二导电类型，该第四重掺杂区耦接到该第二阱。

5.根据权利要求1所述的半导体结构，其特征在于，还包括：

一第五重掺杂区，具有该第一导电类型，该第五重掺杂区耦接到该第三阱，该第五重掺杂区耦接到该第一节点。

6.根据权利要求1所述的半导体结构，其中，该第二阱和该第一阱相邻。

7.根据权利要求1所述的半导体结构，其中，该开关包括：

一第一晶体管，控制该第一节点到该第一阱的一电流路径；以及

一第二晶体管，控制该第二节点到该第二阱的一电流路径。

8.一种根据权利要求1所述的半导体结构的操作方法，其特征在于，包括下列分别对应至条件(A)和(B)的步骤(a)和(b)的至少一者：

(a)在该静电放电保护模式下，断开该开关，以浮接该第一阱；以及

(b)在该静电放电保护模式下，断开该开关，以浮接该第二阱。

9.根据权利要求8所述的操作方法，其特征在于，还包括：

在一通常模式下，使该第一阱耦接到该第一节点，并使该第二阱耦接到该第二节点。