[发明专利]一种发光二极管的外延片及其制作方法有效
| 申请号： | 201611057810.6 | 申请日： | 2016-11-24 |
| 公开（公告）号： | CN106784210B | 公开（公告）日： | 2019-03-01 |
| 发明（设计）人： | 马欢 | 申请（专利权）人： | 华灿光电（浙江）有限公司 |
| 主分类号： | H01L33/06 | 分类号： | H01L33/06;H01L33/14;H01L33/32;H01L33/00 |
| 代理公司： | 北京三高永信知识产权代理有限责任公司 11138 | 代理人： | 徐立 |
| 地址： | 322000 浙江省金华市义*** | 国省代码： | 浙江;33 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 一种 发光二极管 外延 及其 制作方法 | ||
1.一种发光二极管的外延片，其特征在于，所述外延片包括衬底、以及依次层叠在所述衬底上的缓冲层、非掺杂GaN层、N型层、多量子阱层、第一空穴注入层、电子阻挡层、第二空穴注入层，所述第一空穴注入层包括交替层叠的P型AlInGaN层和P型InGaN层，所述电子阻挡层为AlGaN层，所述第二空穴注入层为间隔插入InN层的P型GaN层。
2.根据权利要求1所述的外延片，其特征在于，所述第一空穴注入层的厚度为30～200nm。
3.根据权利要求1或2所述的外延片，其特征在于，所述第二空穴注入层的厚度为20～200nm。
4.一种发光二极管的外延片的制作方法，其特征在于，所述制作方法包括：
在衬底上生长缓冲层；
在所述缓冲层上生长非掺杂GaN层；
在所述非掺杂GaN层上生长N型层；
在所述N型层上生长多量子阱层；
在所述多量子阱层上生长第一空穴注入层，所述第一空穴注入层包括交替层叠的P型AlInGaN层和P型InGaN层；
在所述第一空穴注入层上生长电子阻挡层，所述电子阻挡层为AlGaN层；
在所述电子阻挡层上生长第二空穴注入层，所述第二空穴注入层为间隔插入InN层的P型GaN层。
5.根据权利要求4所述的制作方法，其特征在于，所述在所述多量子阱层上生长第一空穴注入层，包括：
循环执行以下步骤m次，2≤m≤15：
在第一时间段内通入Ga源、In源、Al源、N源、以及P型掺杂剂，生长P型AlInGaN层；
在第二时间段内停止通入Al源，生长P型InGaN层。
6.根据权利要求5所述的制作方法，其特征在于，所述第一时间段为20～100s，所述第二时间段为20～100s。
7.根据权利要求4～6任一项所述的制作方法，其特征在于，所述第一空穴注入层的生长温度为750～850℃，所述第一空穴注入层的生长压力为100～300torr。
8.根据权利要求4所述的制作方法，其特征在于，所述在所述电子阻挡层上生长第二空穴注入层，包括：
循环执行以下步骤n次，5≤n≤20：
在第三时间段内通入Ga源、N源、以及P型掺杂剂，生长P型GaN层；
在第四时间段内停止通入Ga源，同时通入In源，生长InN层。
9.根据权利要求8所述的制作方法，其特征在于，所述第三时间段为20～50s，所述第四时间段为5～15s。
10.根据权利要求4、8、9任一项所述的制作方法，其特征在于，所述第二空穴注入层的生长温度为950～1050℃，所述第二空穴注入层的生长压力为100～700torr。
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