[发明专利]晶片封装体及其制造方法在审
| 申请号: | 201611031956.3 | 申请日: | 2016-11-22 |
| 公开(公告)号: | CN107039328A | 公开(公告)日: | 2017-08-11 |
| 发明(设计)人: | 何彦仕;叶晓岚;林佳升;张义民;李柏汉;吴晖贤;吴俊良 | 申请(专利权)人: | 精材科技股份有限公司 |
| 主分类号: | H01L21/683 | 分类号: | H01L21/683;H01L23/00;H01L23/04;H01L21/52;G06K9/00 |
| 代理公司: | 北京林达刘知识产权代理事务所(普通合伙)11277 | 代理人: | 刘新宇 |
| 地址: | 中国台湾桃园市中*** | 国省代码: | 台湾;71 |
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| 摘要: | |||
| 搜索关键词: | 晶片 封装 及其 制造 方法 | ||
技术领域
本发明是有关于一种晶片封装体及一种晶片封装体的制造方法。
背景技术
当制作指纹感测器的晶片封装体时,通常会将玻璃片覆盖于晶片的表面,用以保护晶片的感测区。在已知具有玻璃片的晶片封装体中,是以间隔元件(dam)设置在晶片与玻璃片之间,因此间隔元件的厚度等同玻璃片与晶片之间的距离。也就是说,间隔元件的厚度会让玻璃片与晶片之间的间隙增加,当影像感测区接收影像时,易产生眩光的问题(flare issue)。
在制作指纹感测器的制程中,若尚未切割成多个晶片的晶圆不设置玻璃片,当晶圆的厚度较薄时,将会受限于制程能力,使得具有球栅阵列的晶圆要移动时是相当困难的,且晶圆会产生翘曲的问题(warpage issue)。此外,晶圆上的影像感测区也易于在制程中受到污染,使良率难以提升。另一方面,当已知晶片封装体设置于电路板后,晶片封装体的侧面是裸露的,易受外力而损坏。
发明内容
本发明的一技术态样为一种晶片封装体。
根据本发明一实施方式,一种晶片封装体包含晶片、第一粘胶层、第二粘胶层与保护罩。晶片具有感测区、相对的第一表面与第二表面、及邻接第一表面与第二表面的侧面。感测区位于第一表面上。第一粘胶层覆盖晶片的第一表面。第二粘胶层位于第一粘胶层上,使第一粘胶层位于第一表面与第二粘胶层之间。保护罩具有底板与围绕底板的侧壁。底板覆盖第二粘胶层,且侧壁覆盖晶片的侧面。
本发明的另一技术态样为一种晶片封装体的制造方法。
根据本发明一实施方式,一种晶片封装体的制造方法包含下列步骤:使用第一粘胶层将载体贴附于晶圆的第一表面上;切割晶圆与载体,以形成至少一晶片;将晶片与晶片上的载体设置于电路板上;移除晶片上的载体。提供具有底板与侧壁的保护罩,其中侧壁围绕底板;形成第二粘胶层于第一粘胶层上或保护罩的底板上;以及将保护罩的底板与侧壁分别覆盖第二粘胶层与晶片的侧面,其中侧面邻接第一表面及背对第一表面的第二表面。
在本发明上述实施方式中,由于晶片封装体的保护罩具有底板与侧壁,且保护罩的底板覆盖晶片第一表面上的第二粘胶层,保护罩的侧壁覆盖晶片的侧面,因此晶片的第一表面与侧面均可受到保护罩的保护,可提升整体晶片封装体的强度,不易因外力而损坏。此外,在制作晶片封装体时,由于晶圆的第一表面通过第一粘胶层贴附载体,因此即使厚度薄的晶圆也不会受限于制程能力而难以移动,且不易产生翘曲的问题。此外,晶片封装体的制造方法在晶片设置于电路板的制程前,都有载体暂时设置在晶圆上或晶圆被切割后形成的晶片上,使得晶片的感测区不易于制程中受到污染,进而提升产品良率。
附图说明
图1绘示根据本发明一实施方式的晶片封装体的剖面图。
图2绘示根据本发明一实施方式的晶片封装体的制造方法的流程图。
图3绘示根据本发明一实施方式的载体贴附于晶圆后的剖面图。
图4绘示图3的晶圆研磨后的剖面图。
图5绘示图4的晶圆形成通孔与重布线层后的剖面图。
图6绘示图5的结构形成阻隔层与导电结构并贴附于保护胶带后的剖面图。
图7绘示图6的结构贴附于切割胶带且移除保护胶带后的剖面图。
图8绘示图7的晶圆与载体切割后的结构设置于电路板后的剖面图。
图9绘示图8的结构移除载体后的剖面图。
图10绘示图9的第一粘胶层形成第二粘胶层后的剖面图。
图11绘示根据本发明一实施方式的保护罩的底板形成第二粘胶层后的剖面图。
其中,附图中符号的简单说明如下:
100:晶片封装体;110:晶片;110a:晶圆;111:感测区;112:第一表面;114:第二表面;116:侧面;117:通孔;120:第一粘胶层;130:第二粘胶层;140:保护罩;142:底板;144:侧壁;150:重布线层;160:阻隔层;162:开口;170:导电结构;180:电路板;210:载体;220:保护胶带;230:切割胶带;240:喷嘴;L-L:线段;S1~S7:步骤。
具体实施方式
以下将以图式揭露本发明的多个实施方式,为明确说明起见,许多实务上的细节将在以下叙述中一并说明。然而,应了解到,这些实务上的细节不应用以限制本发明。也就是说,在本发明部分实施方式中,这些实务上的细节是非必要的。此外,为简化图式起见,一些已知惯用的结构与元件在图式中将以简单示意的方式绘示。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造





