[发明专利]上电复位脉冲产生电路

权利要求书

1.一种上电复位脉冲产生电路，包括依次串接的延迟产生电路模块和脉冲产生电路模块，所述的延迟产生电路模块中具有第一反相器，其特征在于，所述的延迟产生电路模块还包括电流源、延迟开关组电路和电容元件，所述的延迟开关组电路中具有第一开关和第二开关，所述的电流源、第一开关和第二开关依次串接于电源V_DD和地之间，所述的电容元件的一端接地，所述电容元件的另一端和所述的第一反相器的输入端均接于所述的电流源和第一开关之间；所述的第一反相器的输出端与所述的脉冲产生电路模块的输入端相连接，且所述脉冲产生电路模块的输出端为所述上电复位脉冲产生电路的输出端；所述的第二开关的导通时刻比所述的第一开关的导通时刻延迟滞后一系统预设的时间差；

所述的延迟开关组电路中还包括第二反相器、依次级联的第三反相器电路和第四反相器电路，所述的第一开关为第一NMOS管，所述的第二开关为第二NMOS管，所述的第一NMOS管和第二NMOS管依次串接于所述的电流源和地之间；一第一PMOS管、第一电阻和第三NMOS管依次串接于电源和地之间，所述的第一PMOS管的栅极接地，且所述第一PMOS管的栅极通过所述的第二反相器连接于所述的第一NMOS管的栅极，所述的第三NMOS管的栅极与源极相连接，且所述第三NMOS管的栅极通过所述的依次级联的第三反相器电路和第四反相器电路连接于所述的第二NMOS管的栅极。

2.根据权利要求1中所述的上电复位脉冲产生电路，其特征在于，所述的第三反相器电路包括依次串接于电源和地之间的第二电阻、第二PMOS管、第四NMOS管和第三电阻，所述的第三NMOS管的栅极分别与所述的第二PMOS管的栅极、第四NMOS管的栅极均相连接，且所述的第四反相器电路的输入端接于所述的第二PMOS管的漏极、第四NMOS管的源极之间。

3.根据权利要求1中所述的上电复位脉冲产生电路，其特征在于，所述的第四反相器电路包括依次串接于电源和地之间的第三PMOS管和第五NMOS管，所述的第三反相器电路的输出端分别与所述的第三PMOS管的栅极、第五NMOS管的栅极均相连接，且所述的第二NMOS管的栅极接于所述的第三PMOS管的漏极、第五NMOS管的源极之间。

4.根据权利要求1中所述的上电复位脉冲产生电路，其特征在于，所述的第三反相器电路的输出端与地之间还接有一电平钳位电路。

5.根据权利要求4中所述的上电复位脉冲产生电路，其特征在于，所述的电平钳位电路包括依次串接的第六NMOS管和第七NMOS管，所述的第三反相器电路的输出端接于所述的第六NMOS管的源极，所述的第四反相器电路的输出端接于所述的第六NMOS管的栅极；所述的第七NMOS管的栅极接于所述的第三反相器电路的输入端。

6.根据权利要求1中所述的上电复位脉冲产生电路，其特征在于，所述的脉冲产生电路模块包括依次串接的延迟电路单元、施密特触发器和第五反相器，所述的第一反相器的输出端与所述的延迟电路单元的输入端相连接，所述的第五反相器的输出端为所述上电复位脉冲产生电路的输出端。

7.根据权利要求6中所述的上电复位脉冲产生电路，其特征在于，所述的延迟电路单元中包括第八NMOS管和第四PMOS管，所述的第八NMOS管接于所述的第一反相器的输出端和所述的施密特触发器的输入端之间，且所述第八NMOS管的栅极接地；所述的第四PMOS管的栅极与所述的施密特触发器的输入端相连接，且所述第四PMOS管的源极和漏极均与电源相连接。

8.根据权利要求7中所述的上电复位脉冲产生电路，其特征在于，所述的第八NMOS管为耗尽型NMOS管。

9.根据权利要求1至8中任一项所述的上电复位脉冲产生电路，其特征在于，所述的电容元件为第九NMOS管，所述的第九NMOS管的栅极接于所述的第一反相器的输入端，且所述第九NMOS管的源极和漏极均接地。

10.根据权利要求1至8中任一项所述的上电复位脉冲产生电路，其特征在于，所述的电流源为一自偏置电流源。