[发明专利]使不同类型的半导体管芯附接到同一导热法兰的多管芯封装

说明书

本发明涉及使不同类型的半导体管芯附接到同一导热法兰的多管芯封装。通过经由第一管芯附接材料将由第一半导体材料制成的第一半导体管芯附接到导热法兰、以及经由第二管芯附接材料将第二半导体管芯附接到与第一半导体管芯所附接的相同的导热法兰，制造多管芯封装。该第二半导体管芯由不同于第一半导体材料的第二半导体材料制成。在第二半导体管芯到法兰的附接期间第一管芯附接材料将第一半导体管芯保持在一定位置。将引线附接到导热法兰或附接到固定于该法兰的绝缘构件。该引线提供对第一和第二半导体管芯的外部电气接入。

技术领域

本申请涉及多管芯封装，特别地涉及使不同类型的半导体管芯附接到同一导热法兰的多管芯封装。

背景技术

许多类型的功率放大器封装包括多于一个半导体管芯。例如，Doherty功率放大器封装包括在同一封装中的主放大器和峰值放大器。对于下一代蜂窝通信系统来说，高速数据率、高容量和绿色能源考虑因数是主要的趋势，这迫使Doherty功率放大器变得更高效且具有更宽带宽。利用目前的LDMOS（横向扩散金属氧化物半导体）技术难以实现这些要求，这归因于LDMOS晶体管在降低器件寄生效应方面的限制。GaN技术是一种替代解决方案，它可以在LDMOS技术所限制的方面提供附加性能。然而，GaN技术是较昂贵的并且不如LDMOS那样线性。照此，需要将不同半导体材料类型的管芯集成在同一功率放大器封装中。

发明内容

根据一种制造多管芯封装的方法的一个实施例，该方法包括：经由第一管芯附接材料将由第一半导体材料制成的第一半导体管芯附接到导热法兰；经由第二管芯附接材料将第二半导体管芯附接到与第一半导体管芯所附接的相同的导热法兰，该第二半导体管芯由不同于第一半导体材料的第二半导体材料制成，并且其中在第二半导体管芯到法兰的附接期间第一管芯附接材料将第一半导体管芯保持在一定位置；以及将引线附接到导热法兰或附接到固定于该法兰的绝缘构件，该引线提供对第一和第二半导体管芯的外部电气接入。

根据一种多管芯封装的一个实施例，该封装包括：导热法兰、经由第一管芯附接材料附接到该导热法兰的由第一半导体材料制成的第一半导体管芯、经由第二管芯附接材料附接到与第一半导体管芯所附接的相同的导热法兰的第二半导体管芯、以及附接到导热法兰或附接到固定于该法兰的绝缘构件的引线。该引线被配置成提供对第一和第二半导体管芯的外部电气接入。该第二半导体管芯由不同于第一半导体材料的第二半导体材料制成。

本领域技术人员在阅读下面的具体实施方式时且在查看附图时将会认识到附加的特征和优点。

附图说明

图中的元件不一定相对于彼此按照比例来绘制。相似的参考数字指定对应的类似部件。各个图示的实施例的特征可以被组合，除非它们彼此排除。在附图中描绘且在随后的具描述中详述实施例。

图1图示制造多管芯封装的方法的一个实施例的流程图。

图2图示多管芯封装的一个实施例的自顶向下俯视图。

图3图示使用多个处理腔室制造多管芯封装的方法的一个实施例的流程图。

图4图示使用单个处理腔室制造多管芯封装的方法的一个实施例的流程图。

图5图示多管芯封装的另一实施例的自顶向下俯视图。

图6图示多管芯封装的又一实施例的自顶向下俯视图。

图7图示使由不同半导体材料制成的管芯在被附接到同一导热法兰之前对准的一个实施例的透视图。

图8图示使由不同半导体材料制成的管芯在被附接到同一导热法兰之前对准的另一实施例的透视图。

具体实施方式