[发明专利]使不同类型的半导体管芯附接到同一导热法兰的多管芯封装有效
申请号: | 201610966548.0 | 申请日: | 2016-10-28 |
公开(公告)号: | CN107017172B | 公开(公告)日: | 2020-11-03 |
发明(设计)人: | B.阿加尔;D.常;A.科姆波施;M.莱费夫尔;张希坤 | 申请(专利权)人: | 科锐 |
主分类号: | H01L21/50 | 分类号: | H01L21/50;H01L23/367;H01L25/07;H01L25/16 |
代理公司: | 中国专利代理(香港)有限公司 72001 | 代理人: | 申屠伟进;杜荔南 |
地址: | 美国北卡*** | 国省代码: | 暂无信息 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 不同类型 半导体 管芯 接到 同一 导热 法兰 封装 | ||
1.一种制造多管芯封装的方法,包括:
经由第一管芯附接材料将由第一半导体材料制成的第一半导体管芯附接到导热法兰;
经由第二管芯附接材料将第二半导体管芯附接到与第一半导体管芯所附接的相同的导热法兰,该第二半导体管芯由不同于第一半导体材料的第二半导体材料制成,并且其中在第二半导体管芯到法兰的附接期间第一管芯附接材料将第一半导体管芯保持在一定位置;以及
将引线附接到导热法兰或附接到固定于该法兰的绝缘构件,该引线提供对第一和第二半导体管芯的外部电气接入,
其中所述第一管芯附接材料和所述第二管芯附接材料包括不同的管芯附接材料。
2.根据权利要求1所述的方法,其中该第一半导体管芯是Doherty放大器电路的主放大器,并且该第二半导体管芯是Doherty放大器电路的峰值放大器,
其中所述第一管芯附接材料具有第一管芯附接温度范围,以及
其中所述第二管芯附接材料具有与所述第一管芯附接温度范围不同的第二管芯附接温度范围。
3.根据权利要求2所述的方法,其中该第一半导体管芯由GaN制成,并且该第二半导体管芯由Si制成。
4.根据权利要求1所述的方法,其中该第一半导体管芯是功率晶体管管芯,并且该第二半导体管芯是功率晶体管管芯,
其中所述第一管芯附接材料将所述第一半导体管芯的背侧附接到所述导热法兰的顶侧;以及
其中所述第二管芯附接材料将所述第二半导体管芯的背侧附接到所述导热法兰的顶侧。
5.根据权利要求1所述的方法,其中经由第一管芯附接材料将由第一半导体材料制成的多个半导体管芯附接到导热法兰,
其中经由第二管芯附接材料将由第二半导体材料制成的多个半导体管芯附接到导热法兰,以及
其中所述第一管芯附接材料被配置为在所述第二半导体管芯到所述导热法兰的附接期间将所述第一半导体管芯保持到所述导热法兰。
6.根据权利要求5所述的方法,其中由第一半导体材料制成的半导体管芯中的一些是功率晶体管管芯,并且其中由第一半导体材料制成的半导体管芯中的另一些是无源电容器管芯。
7.根据权利要求1所述的方法,其中该第一管芯附接材料具有第一管芯附接温度范围,并且其中该第二管芯附接材料具有与第一管芯附接温度范围不同的第二管芯附接温度范围。
8.根据权利要求7所述的方法,其中该第一管芯附接温度范围比第二管芯附接温度范围更大,其中该第一半导体管芯在第二半导体管芯之前被附接到导热法兰,并且其中该第一管芯附接材料在第二半导体管芯到导热法兰的所述附接期间保持于固态。
9.根据权利要求8所述的方法,还包括:
将导热法兰放置在第一管芯附接腔室中以便将第一半导体管芯附接到导热法兰;以及
将导热法兰从第一管芯附接腔室移动到第二管芯附接腔室以便将第二半导体管芯附接到导热法兰。
10.根据权利要求8所述的方法,还包括:
在将第一半导体管芯附接到导热法兰之前,使第一半导体管芯关于导热法兰上的多个基准点对准;以及
在将第二半导体管芯附接到导热法兰之前,使第二半导体管芯关于与对准第一半导体管芯所关于的基准点相同的基准点对准。
11.根据权利要求8所述的方法,还包括:
在将第一半导体管芯附接到导热法兰之前,使第一半导体管芯关于导热法兰上的多个基准点对准;以及
在将第二半导体管芯附接到导热法兰之前,使第二半导体管芯关于第一半导体管芯上的多个基准点对准。
12.根据权利要求1所述的方法,其中作为在单个管芯附接腔室中执行的共同管芯附接工艺的一部分,将第一半导体管芯和第二半导体管芯附接到导热法兰。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造