[发明专利]半导体装置以及半导体装置的制造方法

权利要求书

1.一种半导体装置，其特征在于，包括：

一对光电变换元件，输出与接受到的光的强度对应的光电流；以及

元件分离部，包围所述一对光电变换元件的每一个光电变换元件；

第一过滤膜，被设置在上述一对光电变换元件中的一方的光入射侧，通过交替地层叠折射率相互不同的高折射率层和低折射率层而构成，并使紫外线所包含的UV－A波和UV－B波中的任意一方以比另一方高的透过率透过，

绝缘体层，具有:与所述一对光电传感器和所述元件分离部接触的下面、与所述下面相对的上面，所述绝缘体层覆盖所述一对光电传感器和所述元件隔离器的表面，其中，所述上面的对应于上述一对光电变换元件中的另一方的光入射侧的区域被配置为露出。

2.根据权利要求1所述的半导体装置，其特征在于，

在将上述高折射率层的折射率设为n₁，将上述高折射率层的层厚设为d₁、将上述低折射率层的折射率设为n₂，将上述低折射率层的层厚设为d₂、将上述UV－A波以及上述UV－B波中的上述第一过滤膜的透过率较低的一方的波长λ的范围设为λ₁≤λ≤λ₂时，满足

λ₁/(4·n₁)≤d₁≤λ₂/(4·n₁)

λ₂/(4·n₂)≤d₂≤λ₂/(4·n₂)。

3.根据权利要求1或者权利要求2所述的半导体装置，其特征在于，

上述低折射率层与上述高折射率层的折射率的差为0.4以上，上述高折射率层的折射率为2以下。

4.根据权利要求1或者权利要求2所述的半导体装置，其特征在于，

上述第一过滤膜还包括厚膜层，该厚膜层具有与上述高折射率层以及上述低折射率层中的任意一方相同的折射率，且比上述高折射率层以及上述低折射率层的层厚厚。

5.根据权利要求4所述的半导体装置，其特征在于，

上述厚膜层被配置在上述第一过滤膜的最上部。

6.根据权利要求4所述的半导体装置，其特征在于，

上述厚膜层具有与上述低折射率层相同的折射率。

7.根据权利要求1或者权利要求2所述的半导体装置，其特征在于，

上述低折射率层包括硅氧化膜，上述高折射率层包括硅氮化膜。

8.根据权利要求1或者权利要求2所述的半导体装置，其特征在于，

上述一对光电变换元件各自的受光区域的厚度为36nm以下。

9.根据权利要求1或者权利要求2所述的半导体装置，其特征在于，

上述第一过滤膜的侧面被遮挡紫外线的遮光膜覆盖。

10.根据权利要求1或者权利要求2所述的半导体装置，其特征在于，

上述一对光电变换元件中的另一方接受上述UV－A波以及上述UV－B波这双方。

11.根据权利要求1或者权利要求2所述的半导体装置，其特征在于，

还包括第二过滤膜，该第二过滤膜被设置在上述一对光电变换元件中的另一方的光入射侧，通过交替地层叠折射率相互不同的高折射率层和低折射率层而构成，并使上述UV－B波以比上述UV－A波高的透过率透过，

上述第一过滤膜使上述UV－A波以比上述UV－B波高的透过率透过。