[发明专利]半导体发光器件封装件

说明书

提供了半导体发光器件封装件，所述半导体发光器件封装件包括：发光二极管(LED)芯片，包括第一电极和第二电极，LED芯片具有设置有第一电极和第二电极的第一表面以及与第一表面相对的第二表面；坝结构，设置在所述第一表面上，坝结构的外部边缘与LED芯片的外部边缘共面；波长转换层，设置在LED芯片的侧表面上、LED芯片的第二表面上以及坝结构的侧表面上，波长转换层包括波长转换材料。

本申请要求于2015年11月12日在韩国知识产权局提交的第10-2015-0159217号韩国专利申请的优先权，该韩国专利申请的公开内容通过引用全部包含于此。

技术领域

根据本公开的设备、器件和制品涉及一种半导体发光器件封装件。

背景技术

当电流施加到半导体发光器件时，半导体发光器件利用电子和空穴复合的原理来发光，半导体发光器件因其各种优点(诸如低功耗、高亮度和紧凑的尺寸)而被广泛用作光源。具体来说，由于已经开发了氮基发光器件，所以半导体发光器件的使用程度一直在扩展，并且已经在光源模块、家用照明器材、车辆照明等中采用半导体发光器件。

随着半导体发光器件的使用增加，半导体发光器件的应用已经扩展为包括高电流和高输出光源领域。如此，随着半导体发光器件被用于高电流和高输出光源领域，在现有技术中已经研究了发光效率的改善。具体地，在与光源模块有关的领域中，正在研究使从设置有半导体发光器件的封装件发射的光的方位角(orientation angle)增大的方法。

发明内容

一个或更多个示例实施例提供一种颜色质量改善且光的方位角增大的半导体发光器件封装件。

根据示例实施例的一方面，提供一种半导体发光器件封装件，所述半导体发光器件封装件包括：发光二极管(LED)芯片，具有其上设置有第一电极和第二电极的第一表面以及与第一表面相对的第二表面；坝结构，设置在所述第一表面上，坝结构的外部边缘与LED芯片的外部边缘共面；波长转换层，设置在LED芯片的侧表面上、所述第二表面上以及坝结构的侧表面上，波长转换层包含波长转换材料。

根据另一示例实施例的一方面，提供一种半导体发光器件封装件，所述半导体发光器件封装件包括：LED芯片，具有其上设置有第一电极和第二电极的第一表面、与第一表面相对的第二表面、以及将第一表面连接到第二表面的至少一个侧表面；波长转换层，具有暴露第一电极和第二电极中的每者的至少一部分的开口部分，波长转换层设置在LED芯片的第一表面、第二表面以及所述至少一个侧表面上，波长转换层包括波长转换材料。

根据另一示例实施例的一方面，提供一种半导体发光器件封装件，所述半导体发光器件封装件包括：发光二极管(LED)芯片，包括基底、设置在基底上的发光结构以及设置在发光结构的与基底相对的表面上的第一电极和第二电极，第一电极和第二电极电连接到发光结构；波长转换层，设置为覆盖LED芯片的至少一个侧表面和基底。

附图说明

通过以下结合附图进行的对示例实施例的详细描述，以上和/或其它方面将被更清楚地理解，其中：

图1是根据示例实施例的半导体发光器件封装件的示意性透视图；

图2是沿着图1的半导体发光器件封装件的线I-I'截取的示意性剖视图；

图3是图2的半导体发光器件封装件的发光二极管(LED)芯片的示意性剖视图；

图4是根据示例实施例的半导体发光器件封装件的示意性剖视图；

图5是根据示例实施例的半导体发光器件封装件的示意性剖视图；

图6是图5的半导体发光器件封装件的LED芯片的示意性剖视图；

图7是在根据示例实施例的半导体发光器件封装件中采用的LED芯片的平面图；