[发明专利]半导体发光器件封装件

权利要求书

1.一种半导体发光器件封装件，所述半导体发光器件封装件包括：

LED芯片，包括第一电极和第二电极，LED芯片具有设置有第一电极和第二电极的第一表面以及与第一表面相对的第二表面；

坝结构，设置在LED芯片的第一表面上，坝结构的外部边缘与LED芯片的外部边缘共面；以及

波长转换层，设置在LED芯片的侧表面上、LED芯片的第二表面上以及坝结构的侧表面上，波长转换层包含波长转换材料，

其中，坝结构的高度大于第一电极的高度，并且大于第二电极的高度，

其中，波长转换层包括设置在LED芯片的侧表面上的第一区域以及设置在LED芯片的第二表面上的第二区域，

其中，波长转换层的第一区域具有第一均匀厚度，波长转换层的第二区域具有第二均匀厚度，第二均匀厚度为第一均匀厚度的15％至30％，

其中，坝结构具有比第一区域的波长转换层的高度大的高度，或者坝结构的下表面与第一区域的波长转换层的下表面形成共面表面。

2.根据权利要求1所述的半导体发光器件封装件，其中，第二区域的波长转换层延伸以在接触区域接触第一区域的波长转换层，接触区域和第二表面形成共面表面。

3.根据权利要求1所述的半导体发光器件封装件，其中，波长转换层设置在LED芯片的所有侧表面上。

4.根据权利要求1所述的半导体发光器件封装件，其中，坝结构包括邻近LED芯片的边缘设置的第一坝结构，以及设置在第一电极和第二电极之间的第二坝结构。

5.根据权利要求1所述的半导体发光器件封装件，其中，坝结构覆盖除了第一电极和第二电极的区域之外的第一表面，使得坝结构暴露第一电极和第二电极。

6.根据权利要求4所述的半导体发光器件封装件，其中，LED芯片的侧表面和第一坝结构的侧表面形成共面表面。

7.根据权利要求1所述的半导体发光器件封装件，其中，第一区域的波长转换层的设置在LED芯片的相对的侧表面上的部分具有相同的厚度。

8.一种半导体发光器件封装件，所述半导体发光器件封装件包括：

LED芯片，包括基底、设置在基底上的发光结构以及设置在发光结构的与基底相对的表面上的第一电极和第二电极，LED芯片具有设置有第一电极和第二电极的第一表面、与第一表面相对的第二表面、以及将第一表面连接到第二表面的至少一个侧表面；

反射层，设置在发光结构的侧表面上；以及

波长转换层，具有暴露第一电极和第二电极中的每者的至少一部分的开口部分，波长转换层设置在LED芯片的第一表面上、LED芯片的第二表面上以及LED芯片的所述至少一个侧表面上，波长转换层包含波长转换材料，

其中，波长转换层包括设置在LED芯片的所述至少一个侧表面上的第一区域以及设置在LED芯片的第二表面上的第二区域，

其中，波长转换层的第一区域具有第一均匀厚度，波长转换层的第二区域具有第二均匀厚度，第二均匀厚度为第一均匀厚度的15％至30％。

9.根据权利要求8所述的半导体发光器件封装件，其中，所述发光结构包括堆叠在基底上的第一导电半导体层、活性层和第二导电半导体层，

其中，发光结构与基底的边缘分开，使得基底的外部边缘不与发光结构的外部边缘共面。

10.根据权利要求9所述的半导体发光器件封装件，其中，反射层延伸到基底的所述边缘。