[发明专利]目标图形的修正方法

说明书

一种目标图形的修正方法，包括：提供目标图形，将目标图形的轮廓分割为多个边缘；对目标图形进行光学邻近修正获取掩模版图形；对掩模板图形进行光学模拟，获得模拟曝光图形，检测模拟曝光图形上是否存在弱点；当存在弱点时，基于所述弱点在目标图形中确定修正窗口，将所述修正窗口内的目标图形与所述模拟曝光图形对应区域的图形进行对比，获得修正窗口内每个边缘的位置误差，计算修正窗口内每个边缘的修正量对修正窗口内所有边缘的位置误差产生的影响，确定每个边缘的修正量，根据每个边缘的修正量对目标图形进行修正。本发明实施例的修正方法能够解决问题性光刻工艺版图设计所引起的冲突性误差的问题，节省运算时间且有效地消除冲突性弱点。

技术领域

本发明涉及半导体制造工艺领域，尤其涉及一种光刻工艺中目标图形的修正方法。

背景技术

在半导体制造工艺中，伴随着集成电路制造技术的发展，关键尺寸(CriticalDimension，CD)逐渐缩小。当集成电路的关键尺寸减小到其数量级与光刻设备的曝光波长相当时，会产生光学邻近效应(Optical Proximity Effect，OPE)。这一现象是由于在光的传播过程中，光通过掩模版发生衍射和干涉，使得光刻工艺中集成电路结构图案从掩模版复制到光刻胶时产生形变和失真。

为了克服光学邻近效应，业界通常采用光学邻近修正(Optical ProximityEffect，OPC)方法对预期会发生形变和失真的光刻掩模版进行预先修改，使得修改补偿的量正好能够补偿光刻机曝光系统所产生的光学邻近效应，从而使最终硅片上曝光图形与目标图形一致。

光学邻近修正通过多次迭代步骤能够修正硅片上曝光图形与目标图形之间的边缘位置误差(Edge Displacement Error，EPE)，然而却难以修正由于设计缺陷所引起的冲突性误差的问题。所谓冲突性误差即对一种图案的误差修正会加剧相邻其他图案的误差程度，这种冲突性误差难以被同时解决。

因此，需要一种能够解决冲突性误差的方法。

发明内容

本发明解决的技术问题是提供一种目标图形的修正方法以解决冲突性误差、提高光学邻近修正的精度。

为解决上述技术问题，本发明实施例提供一种目标图形的修正方法，包括：提供目标图形，将所述目标图形的轮廓分割为多个边缘；对所述目标图形进行光学邻近修正，获取掩模版图形；对所述掩模板图形进行光学模拟，获得模拟曝光图形，检测所述模拟曝光图形上是否存在弱点；当存在弱点时，基于所述弱点在所述目标图形中确定修正窗口，将所述修正窗口内的目标图形与所述模拟曝光图形对应区域的图形进行对比，获得所述修正窗口内每个边缘的位置误差，计算所述修正窗口内每个边缘的修正量对修正窗口内所有边缘的位置误差产生的影响，由所述修正窗口内每个边缘的修正量对修正窗口内所有边缘的位置误差产生的影响、和所述每个边缘的位置误差确定每个边缘的修正量，根据所述每个边缘的修正量对所述目标图形进行修正，获得修正后的目标图形。

可选地，所述弱点为冲突性弱点，所述冲突性弱点位于所述模拟曝光图形上多个图案的交界处，对所述冲突性弱点处的模拟曝光图形进行光学邻近修正，会同时对所述多个图案产生影响。

可选地，计算所述修正窗口内每个边缘的修正量对所述修正窗口内所有边缘的位置误差产生的影响包括：计算所述修正窗口内所有边缘的位置干扰矩阵。

可选地，所述修正窗口内所有边缘的位置干扰矩阵包括：所述矩阵的对角元素为对所述修正窗口内所有边缘中的任一边缘施加单位距离的修正量，所述任一边缘产生的位置误差；以及所述矩阵的非对角元素为对所述修正窗口内所有边缘中的任一边缘施加单位距离的修正量，所述修正窗口内所有边缘中除所述任一边缘以外的其他边缘产生的位置误差。

可选地，所述矩阵的对角元素大于所述矩阵的非对角元素。