[发明专利]加热腔室及半导体加工设备

说明书

本发明提供一种加热腔室及半导体加工设备，其包括用于承载晶片的基座以及进气机构，该进气机构包括一级匀流腔和二级匀流腔，其中，二级匀流腔设置在基座的上方，且在二级匀流腔的底壁上均匀分布有多个出气口，用以朝向基座输送工艺气体；一级匀流腔环绕设置在二级匀流腔的外周，且与二级匀流腔相连通，用以朝向二级匀流腔输送工艺气体。本发明提供的加热腔室，其可以提高工艺气体作用于晶片表面的均匀性，从而可以提高产品良率。

技术领域

本发明涉及半导体制造领域，具体地，涉及一种加热腔室及半导体加工设备。

背景技术

在集成电路制造工艺过程中，包含有刻蚀、CMP等液体环境的工序，经过这些工序的晶片表面会残留一些来自于上述工序中液体的有机物、水分、化学溶液等的附着物，这些附着物会对之后的工艺过程造成极大的影响，降低产品良率。因此，在进行刻蚀、CMP等液体环境工序后，需要增加一道工艺工序，以去除晶片表面上的附着物，该工艺即为去气(Degas)工艺，即，需要将晶片置于真空的加热腔室中进行加热，使附着物通过挥发、气化、反应等方式脱离晶片表面，然后通过干泵或者冷泵抽离加热腔室内的气体，从而实现晶片的清洁。

现有的一种加热腔室包括用于承载晶片的基座、用于加热晶片的加热装置以及用于向加热腔室内输送工艺气体的进气机构。其中，加热装置可以利用加热灯泡采用热辐射的方式加热晶片、或者利用设置在基座中的加热器采用热传导的方式加热晶片，或者同时使用前述两种加热方式同时加热晶片。

由于目前的进气机构的出气口位于加热腔室的边缘处，这使得自各个出气口与置于基座上的晶片边缘处之间的距离小于与晶片中心处之间的距离，导致流经晶片边缘处的气体流量和流速与流经晶片中心处的气体流量相差较大，从而造成晶片边缘处的附着物被携带和稀释的程度与晶片中心处的附着物被携带和稀释的程度也产生较大差异，进而造成工艺均匀性较差，导致产品良率下降。

发明内容

本发明旨在至少解决现有技术中存在的技术问题之一，提出了一种加热腔室及半导体加工设备，其可以提高工艺气体作用于晶片表面的均匀性，从而可以提高产品良率。

为实现本发明的目的而提供一种加热腔室，用于去除晶片表面上的附着物，包括用于承载所述晶片的基座，以及进气机构，其特征在于，所述进气机构包括一级匀流腔和二级匀流腔，其中，

所述二级匀流腔设置在所述基座的上方，且在所述二级匀流腔的底壁上均匀分布有多个出气口，用以朝向所述基座输送工艺气体；

所述一级匀流腔环绕设置在所述二级匀流腔的外周，且与所述二级匀流腔相连通，用以朝向所述二级匀流腔输送所述工艺气体；

所述二级匀流腔包括上盖、匀流环和匀流板，其中，

所述上盖和匀流板分别设置在所述匀流环的顶部和底部，所述上盖、匀流环和匀流板构成所述二级匀流腔；

所述匀流环与所述加热腔室的侧壁构成所述一级匀流腔，且在所述匀流环中设置有多个进气口，所述多个进气口沿所述匀流环的周向均匀分布，用以沿所述匀流环的周向，向所述二级匀流腔输送所述工艺气体；

所述匀流板用作所述二级匀流腔的底壁；

所述加热腔室还包括预热装置，用于加热所述二级匀流腔；

所述预热装置包括加热板，所述加热板用作所述上盖；

在所述加热板中设置有加热元件，用以产生热量.

优选的，在所述匀流环的顶部设置有环形凸台，所述环形凸台自所述匀流环的外周壁水平凸出；

所述环形凸台叠置在所述加热腔室的侧壁顶面上，且与所述加热腔室的侧壁固定连接。