[发明专利]加热腔室及半导体加工设备

权利要求书

1.一种加热腔室，用于去除晶片表面上的附着物，包括用于承载所述晶片的基座，以及进气机构，其特征在于，所述进气机构包括一级匀流腔和二级匀流腔，其中，

所述二级匀流腔设置在所述基座的上方，且在所述二级匀流腔的底壁上均匀分布有多个出气口，用以朝向所述基座输送工艺气体；

所述一级匀流腔环绕设置在所述二级匀流腔的外周，且与所述二级匀流腔相连通，用以朝向所述二级匀流腔输送所述工艺气体；

所述二级匀流腔包括上盖、匀流环和匀流板，其中，

所述上盖和匀流板分别设置在所述匀流环的顶部和底部，所述上盖、匀流环和匀流板构成所述二级匀流腔；

所述匀流环与所述加热腔室的侧壁构成所述一级匀流腔，且在所述匀流环中设置有多个进气口，所述多个进气口沿所述匀流环的周向均匀分布，用以沿所述匀流环的周向，向所述二级匀流腔输送所述工艺气体；

所述匀流板用作所述二级匀流腔的底壁；

所述加热腔室还包括预热装置，用于加热所述二级匀流腔；

所述预热装置包括加热板，所述加热板用作所述上盖；

在所述加热板中设置有加热元件，用以产生热量。

2.根据权利要求1所述的加热腔室，其特征在于，在所述匀流环的顶部设置有环形凸台，所述环形凸台自所述匀流环的外周壁水平凸出；

所述环形凸台叠置在所述加热腔室的侧壁顶面上，且与所述加热腔室的侧壁固定连接。

3.根据权利要求2所述的加热腔室，其特征在于，在所述加热腔室的侧壁顶面设置有第一台阶部，所述匀流环的下表面叠置在所述第一台阶部的下表面，所述匀流环的外周壁与所述第一台阶部的侧面相对、且间隔设置；

所述匀流环的外周壁、所述环形凸台的下表面、所述第一台阶部的侧面和下表面构成所述一级匀流腔。

4.根据权利要求3所述的加热腔室，其特征在于，在所述第一台阶部的下表面设置有第二台阶部，所述匀流板的下表面叠置在所述第二台阶部的下表面。

5.根据权利要求1所述的加热腔室，其特征在于，在所述加热腔室的侧壁中设置有进气孔，用以朝向所述一级匀流腔内输送所述工艺气体。

6.根据权利要求1-5任意一项所述的加热腔室，其特征在于，还包括用于对所述晶片进行加热的加热装置。

7.一种半导体加工设备，其包括加热腔室，用于去除晶片表面上的附着物，其特征在于，所述加热腔室采用权利要求1-6任意一项所述的加热腔室。