[发明专利]半导体结构及其形成方法

权利要求书

1.一种半导体结构的形成方法，其特征在于，包括：

提供衬底，所述衬底包括器件区和隔离区，所述器件区衬底上具有鳍部和初始隔离结构，所述初始隔离结构覆盖所述鳍部侧壁，邻近隔离区的初始隔离结构侧壁和隔离区衬底形成隔离凹槽；

采用离子注入对所述隔离凹槽侧壁注入掺杂离子，在所述隔离凹槽侧壁表面形成阻挡层；

所述离子注入之后，形成填充于所述隔离凹槽内的隔离层；

在形成所述隔离层之后，刻蚀所述初始隔离结构，暴露出鳍部顶部和部分侧壁表面，形成隔离结构。

2.如权利要求1所述的半导体结构的形成方法，其特征在于，所述掺杂离子为氮离子、硅离子和碳离子中的一种或多种组合。

3.如权利要求1所述的半导体结构的形成方法，其特征在于，注入离子为氮离子；

所述离子注入的工艺参数包括：注入剂量为1.0E13atoms/cm²～1.0E19atoms/cm²；注入能量为0.5KeV～20KeV；注入角度为0度～20度，所述注入角度为注入方向与衬底法线之间的锐角夹角。

4.如权利要求1所述的半导体结构的形成方法，其特征在于，所述阻挡层的厚度为5埃～30埃。

5.如权利要求1所述的半导体结构的形成方法，其特征在于，形成隔离层之前，还包括：对所述阻挡层进行退火处理。

6.如权利要求5所述的半导体结构的形成方法，其特征在于，所述退火处理的工艺参数包括：退火温度为800℃～1050℃，保温时间为2s～20s。

7.如权利要求1所述的半导体结构的形成方法，其特征在于，形成所述隔离层的工艺包括：流体化学气相沉积工艺。

8.如权利要求1所述的半导体结构的形成方法，其特征在于，所述隔离层和所述初始隔离结构的材料相同。

9.如权利要求8所述的半导体结构的形成方法，其特征在于，所述初始隔离结构和所述隔离层的材料为氧化硅。

10.如权利要求1所述的半导体结构的形成方法，其特征在于，形成隔离结构之后，还包括：形成横跨所述鳍部的栅极结构，所述栅极结构覆盖所述鳍部部分侧壁和顶部表面。

11.如权利要求1所述的半导体结构的形成方法，其特征在于，所述初始隔离结构和隔离凹槽的形成步骤包括：在所述器件区和隔离区衬底上形成隔离材料层，所述隔离材料层覆盖所述鳍部侧壁；去除所述隔离区衬底上的鳍部和隔离材料层，在器件区形成初始隔离结构，在隔离区形成隔离凹槽。

12.一种半导体结构，其特征在于，包括：

衬底，所述衬底包括器件区和隔离区；

位于所述器件区衬底上的鳍部；

位于所述器件区衬底上的隔离结构，所述隔离结构覆盖鳍部部分侧壁表面，邻近隔离区的隔离结构侧壁和隔离区衬底形成隔离凹槽；

位于所述隔离凹槽侧壁表面的阻挡层，所述阻挡层中具有掺杂离子；

位于所述隔离凹槽中的隔离层。

13.如权利要求12所述的半导体结构，其特征在于，所述掺杂离子为氮离子、硅离子和碳离子中的一种或多种组合。

14.如权利要求12所述的半导体结构，其特征在于，所述阻挡层的厚度为5埃～30埃。

15.如权利要求12所述的半导体结构，其特征在于，所述阻挡层中掺杂离子的浓度为1.0E13atoms/cm²～1.0E19atoms/cm²。

16.如权利要求12所述的半导体结构，其特征在于，所述阻挡层的材料为含有掺杂离子的氧化硅。

17.如权利要求12所述的半导体结构，其特征在于，所述隔离结构与所述隔离层的材料相同。

18.如权利要求17所述的半导体结构，其特征在于，所述隔离层与隔离结构的材料为氧化硅。

19.如权利要求12所述的半导体结构，其特征在于，还包括：横跨所述鳍部的栅极结构，所述栅极结构覆盖所述鳍部部分侧壁和顶部表面。