[发明专利]蚀刻液和使用其的蚀刻方法和使用该蚀刻方法得到的基板

权利要求书

1.一种蚀刻液，其为用于蚀刻层叠于基板上的多层薄膜的蚀刻液，所述基板使用选自玻璃、二氧化硅和氮化硅中的1种以上，所述多层薄膜包含以铜为主要成分的铜层和以钛为主要成分的钛层，

所述蚀刻液为包含如下成分的水溶液且pH值为1.5～2.5：

(A)过氧化氢的浓度为4.5～7.5质量％；

(B)硝酸的浓度为0.8～6质量％；

(C)氟化合物的浓度为0.2～0.5质量％；

(D)唑类的浓度为0.14～0.3质量％；

(E)胺化合物的浓度为0.4～10质量％，所述胺化合物为选自具有1个以上任选被甲氧基所取代的直链状或支链状的碳数2～5的烷基的烷胺(E1)、具有1个或2个直链状或支链状的碳数2～5的羟基烷基、且任意具有1个或2个直链状或支链状的碳数2～5的烷基的链烷醇胺(E2)、具有直链状或支链状的碳数2～5的亚烷基的二胺(E3)、和环己胺(E4)中的1种以上；和

(F)过氧化氢稳定剂的浓度为0.005～0.1质量％，

其中，在该蚀刻液中添加铜4000ppm和钛360ppm、且于50℃保存2小时时的该蚀刻液中的过氧化氢的稳定性为0.075％/小时以下。

2.根据权利要求1所述的蚀刻液，其中，(C)氟化合物为选自氢氟酸、氟化铵和酸式氟化铵中的1种以上。

3.根据权利要求1所述的蚀刻液，其中，(D)唑类为5-氨基-1H-四唑。

4.根据权利要求1所述的蚀刻液，其中，(E)胺化合物为选自异丙醇胺、3-氨基-1-丙醇、N-丁基乙醇胺、N,N-二甲基氨基-2-丙醇、2-甲氧基乙胺、环己胺、正丁胺、二丁胺、叔丁胺、N-甲基-正丁胺、1,4-二氨基丁烷、2-氨基-1-丁醇、5-氨基-1-戊醇、3-甲氧基丙胺、2-二甲基氨基乙醇和2-氨基乙醇中的1种以上。

5.根据权利要求1所述的蚀刻液，其中，(F)过氧化氢稳定剂为选自苯基脲和苯酚磺酸中的1种以上。

6.根据权利要求1所述的蚀刻液，其中，顶部CD损耗为2.5μm以下，底部CD损耗为1.5μm以下和拖尾为0.4μm以下。

7.根据权利要求1所述的蚀刻液，其中，玻璃的腐蚀速度为60nm/分钟以下。

8.根据权利要求1所述的蚀刻液，其中，二氧化硅和氮化硅的腐蚀速度为/分钟以下。

9.根据权利要求1所述的蚀刻液，其中，包含以铜为主要成分的铜层和以钛为主要成分的钛层的多层薄膜的适当蚀刻时间为80秒～140秒。

10.根据权利要求1所述的蚀刻液，其中，层叠于使用选自玻璃、二氧化硅和氮化硅中的1种以上的基板上的多层薄膜是在以钛为主要成分的钛层上层叠以铜为主要成分的铜层而成的。

11.根据权利要求1或2所述的蚀刻液，其中，(E)胺化合物选自3-甲氧基丙胺、N-甲基-正丁胺、正丁胺、2-氨基-1-丁醇、环己胺、N-丁基乙醇胺、5-氨基-1-戊醇中的1种以上。

12.根据权利要求1或2所述的蚀刻液，其中，所述蚀刻液中的(E)胺化合物的含量为2～8质量％。

13.根据权利要求1或2所述的蚀刻液，其中，所述蚀刻液中的(D)唑类的含量为0.15～0.25质量％。

14.一种包含以铜为主要成分的铜层和以钛为主要成分的钛层的多层薄膜的蚀刻方法，其特征在于，使层叠于基板上的多层薄膜与权利要求1～13中任一项所述的蚀刻液接触，所述基板使用选自玻璃、二氧化硅和氮化硅中的1种以上，所述多层薄膜包含以铜为主要成分的铜层和以钛为主要成分的钛层。