[发明专利]半导体存储装置有效
申请号: | 201610580956.2 | 申请日: | 2016-07-21 |
公开(公告)号: | CN107039074B | 公开(公告)日: | 2020-10-16 |
发明(设计)人: | 岡田信彬;久田俊记 | 申请(专利权)人: | 东芝存储器株式会社 |
主分类号: | G11C16/08 | 分类号: | G11C16/08 |
代理公司: | 北京律盟知识产权代理有限责任公司 11287 | 代理人: | 张世俊 |
地址: | 日本*** | 国省代码: | 暂无信息 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 半导体 存储 装置 | ||
1.一种半导体存储装置,其特征在于具备:
第1区块,包含第1字线与第2字线;
第2区块,包含第3字线与第4字线,且在第1方向上设置在所述第1区块的旁边;
第3区块,包含第5字线与第6字线,且在第1方向上设置在所述第2区块的旁边;
第4区块,包含第7字线与第8字线,且在第1方向上设置在所述第3区块的旁边;
第1晶体管群,在正交于所述第1方向的第2方向上设置在所述第1与第2区块的旁边;以及
第2晶体管群,在所述第2方向上设置在所述第1晶体管群的旁边;且
所述第1晶体管群包含:
与所述第1字线电连接的第1晶体管,
与所述第2字线电连接的第2晶体管,
与所述第5字线电连接的第3晶体管,以及
与所述第6字线电连接的第4晶体管,且
在所述第1方向上相邻的所述第2晶体管与所述第3晶体管共有扩散层区域;
所述第2晶体管群包含:
与所述第3字线电连接的第5晶体管,
与所述第4字线电连接的第6晶体管,
与所述第7字线电连接的第7晶体管,以及
与所述第8字线电连接的第8晶体管,且
在所述第1方向上相邻的所述第6晶体管与所述第7晶体管共有扩散层区域。
2.根据权利要求1所述的半导体存储装置,其特征在于:
所述第1晶体管与所述第2晶体管在所述第1方向上相邻而设置,
所述第3晶体管与所述第4晶体管在所述第1方向上相邻而设置,
所述第5晶体管与所述第6晶体管在所述第1方向上相邻而设置,
所述第7晶体管与所述第8晶体管在所述第1方向上相邻而设置。
3.根据权利要求2所述的半导体存储装置,其特征在于:
还具备元件分离区域,该元件分离区域设置在所述第1晶体管与所述第2晶体管之间、所述第3晶体管与所述第4晶体管之间、所述第5晶体管与所述第6晶体管之间、以及所述第7晶体管与所述第8晶体管之间。
4.根据权利要求1所述的半导体存储装置,其特征在于:
所述第1字线与所述第1晶体管的连接端子以及所述第2字线与所述第2晶体管的连接端子在所述第1方向上存在于所述第1区块的宽度内。
5.根据权利要求1所述的半导体存储装置,其特征在于还具备:
第5区块,包含第9字线与第10字线;以及
第3晶体管群,包含与所述第9字线电连接的第9晶体管以及与所述第10字线电连接的第10晶体管,且在所述第2方向上设置在所述第2晶体管群的旁边。
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