[发明专利]半导体存储装置有效

专利信息
申请号: 201610580956.2 申请日: 2016-07-21
公开(公告)号: CN107039074B 公开(公告)日: 2020-10-16
发明(设计)人: 岡田信彬;久田俊记 申请(专利权)人: 东芝存储器株式会社
主分类号: G11C16/08 分类号: G11C16/08
代理公司: 北京律盟知识产权代理有限责任公司 11287 代理人: 张世俊
地址: 日本*** 国省代码: 暂无信息
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摘要:
搜索关键词: 半导体 存储 装置
【权利要求书】:

1.一种半导体存储装置,其特征在于具备:

第1区块,包含第1字线与第2字线;

第2区块,包含第3字线与第4字线,且在第1方向上设置在所述第1区块的旁边;

第3区块,包含第5字线与第6字线,且在第1方向上设置在所述第2区块的旁边;

第4区块,包含第7字线与第8字线,且在第1方向上设置在所述第3区块的旁边;

第1晶体管群,在正交于所述第1方向的第2方向上设置在所述第1与第2区块的旁边;以及

第2晶体管群,在所述第2方向上设置在所述第1晶体管群的旁边;且

所述第1晶体管群包含:

与所述第1字线电连接的第1晶体管,

与所述第2字线电连接的第2晶体管,

与所述第5字线电连接的第3晶体管,以及

与所述第6字线电连接的第4晶体管,且

在所述第1方向上相邻的所述第2晶体管与所述第3晶体管共有扩散层区域;

所述第2晶体管群包含:

与所述第3字线电连接的第5晶体管,

与所述第4字线电连接的第6晶体管,

与所述第7字线电连接的第7晶体管,以及

与所述第8字线电连接的第8晶体管,且

在所述第1方向上相邻的所述第6晶体管与所述第7晶体管共有扩散层区域。

2.根据权利要求1所述的半导体存储装置,其特征在于:

所述第1晶体管与所述第2晶体管在所述第1方向上相邻而设置,

所述第3晶体管与所述第4晶体管在所述第1方向上相邻而设置,

所述第5晶体管与所述第6晶体管在所述第1方向上相邻而设置,

所述第7晶体管与所述第8晶体管在所述第1方向上相邻而设置。

3.根据权利要求2所述的半导体存储装置,其特征在于:

还具备元件分离区域,该元件分离区域设置在所述第1晶体管与所述第2晶体管之间、所述第3晶体管与所述第4晶体管之间、所述第5晶体管与所述第6晶体管之间、以及所述第7晶体管与所述第8晶体管之间。

4.根据权利要求1所述的半导体存储装置,其特征在于:

所述第1字线与所述第1晶体管的连接端子以及所述第2字线与所述第2晶体管的连接端子在所述第1方向上存在于所述第1区块的宽度内。

5.根据权利要求1所述的半导体存储装置,其特征在于还具备:

第5区块,包含第9字线与第10字线;以及

第3晶体管群,包含与所述第9字线电连接的第9晶体管以及与所述第10字线电连接的第10晶体管,且在所述第2方向上设置在所述第2晶体管群的旁边。

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