[发明专利]一种FinFET器件及制备方法、电子装置

权利要求书

1.一种FinFET器件的制备方法，其特征在于，所述方法包括：

提供半导体衬底，在所述半导体衬底中形成有种子层；

在所述半导体衬底和所述种子层上多次交替地形成半导体材料层和具有开口的氧化物层，所述半导体材料层填充其下方的所述氧化物层中的所述开口，其中所述开口与所述种子层对齐；

在所述开口中形成蚀刻催化剂层；

以所述催化剂层为辅助执行化学蚀刻，去除所述催化剂层下方的所述半导体材料层，以形成插入氧化物层型鳍片。

2.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述半导体材料层包括三五族半导体材料层。

3.根据权利要求1或2所述的方法，其特征在于，所述半导体材料层通过横向外延生长的方法形成。

4.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述种子层选用InP层。

5.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，在所述化学蚀刻中同时去除所述种子层。

6.根据权利要求1或5所述的方法，其特征在于，去除所述催化剂层下方的所述半导体材料层之后，所述方法还进一步包括去除所述催化剂层的步骤。

7.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述方法还进一步包括减小所述氧化物层横向尺寸的步骤，以使所述氧化物层的横向尺寸小于所述半导体材料层的横向尺寸。

8.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，在所述半导体衬底和所述种子层上交替的形成第一半导体材料层、第一氧化物层、第二半导体材料层、第二氧化物层、第三半导体材料层和第三氧化物层。

9.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，形成所述种子层的方法包括：

提供所述半导体衬底，在所述半导体衬底上形成具有开口的掩膜层；

以所述掩膜层为掩膜蚀刻所述半导体衬底，以形成沟槽；

在所述沟槽中形成所述种子层。

10.一种FinFET器件，其特征在于，所述器件通过权利要求1至9之一所述方法制备得到，所述器件包括半导体衬底以及位于所述半导体衬底上的插入氧化物层型鳍片；

所述插入氧化物层型鳍片包括多层交替形成的半导体材料层和氧化物层。

11.根据权利要求10所述的FinFET器件，其特征在于，所述插入氧化物层型鳍片的最顶层为所述氧化物层。

12.根据权利要求10所述的FinFET器件，其特征在于，所述插入氧化物层型鳍片的最底层为所述氧化物层。

13.根据权利要求10所述的FinFET器件，其特征在于，所述氧化物层的横向尺寸小于所述半导体材料层的横向尺寸。

14.一种电子装置，其特征在于，所述电子装置包括权利要求10-13之一所述的FinFET器件。