[发明专利]使用解码器/编码器的硅通孔冗余方案及结构

权利要求书

1.一种制造半导体装置的方法，该方法包含下列步骤：

形成硅通孔(TSV)阵列于三维(3D)集成电路(IC)堆栈的底晶粒与顶晶粒之间，该硅通孔阵列有由冗余TSV组成的横行及直列，其中，于该硅通孔阵列中的各个TSV连接至在该底晶粒中的2：4解码器和在该顶晶粒中的4：2优先序编码器；

鉴定该硅通孔阵列中的不良TSV；

判定是否要使与该不良TSV关连或对应的信号位元在第一及/或第二方向向该冗余TSV的横行或直列移位；以及

使该信号位元在该第一及/或该第二方向移位直到该信号位元已重新定向至该冗余TSV的横行或直列。

2.如权利要求1所述的方法，其包括：使对应至非冗余TSV的各个2：4解码器连接至在该第一方向的第一毗邻TSV以及在该第二方向的第二毗邻TSV，该非冗余TSV和该第一及该第二毗邻TSV形成L形图案。

3.如权利要求1所述的方法，其包括：鉴定该不良TSV是通过：

使用一或多个电子熔丝(eFuse)单元来测试该硅通孔阵列的各个TSV。

4.如权利要求1所述的方法，判定要使与该不良TSV关连或对应的该信号位元在该第一方向移位是通过：

查明在该第一方向的毗邻TSV是否不良；

当在该第一方向的该毗邻TSV合格时，使该信号位元在该第一方向移位；

判定该信号位元是否已重新定向至该冗余TSV的横行或直列；以及

重复该查明、该移位及该判定步骤直到该信号位元已移位到该冗余TSV的横行或直列。

5.如权利要求1所述的方法，其包括：使该信号位元在该第一方向移位是通过：

致能该2：4解码器以使该信号位元的选择线由(00)变成(01)。

6.如权利要求1所述的方法，判定要使与该不良TSV关连或对应的该信号位元在该第二方向移位是通过：

判定在该第一方向的毗邻TSV不良；

查明在该第二方向的毗邻TSV是否不良；

当在该第二方向的该毗邻TSV合格时，使该信号位元在该第二方向移位；

判定该信号位元是否已重新定向至该冗余TSV的横行或直列；以及

重复该查明、该移位及该判定步骤直到该信号位元已移位到该冗余TSV的横行或直列。

7.如权利要求1所述的方法，其包括：使该信号位元在该第二方向移位是通过：

致能该2：4解码器以使该信号位元的选择线由(00)变成(10)。

8.如权利要求1所述的方法，更包括：致能该2：4解码器以使与合格TSV关连的信号位元的选择线由(00)变成(11)。

9.一种半导体装置，包含：

三维(3D)集成电路(IC)堆栈的底晶粒；

该三维集成电路堆栈的顶晶粒；

多个2：4解码器，形成于该底晶粒中；

多个4：2优先序编码器，形成于该顶晶粒中；以及

TSV阵列，透过所述多个2：4解码器及所述4：2优先序编码器连接，形成有由冗余TSV的横行及直列所组成的该TSV阵列。

10.如权利要求9所述的半导体装置，其中，冗余TSV由该冗余TSV的横行及直列共享。

11.如权利要求9所述的半导体装置，其中，该TSV阵列的各个TSV附接至在该底晶粒中的2：4解码器以及在该顶晶粒中的4：2优先序编码器。

12.如权利要求9所述的半导体装置，其中，各个非冗余TSV使用2：4解码器连接至在第一方向的第一毗邻TSV及在第二方向的第二毗邻TSV，该非冗余TSV和该第一及该第二毗邻TSV连接成L形图案。

13.如权利要求12所述的半导体装置，其中，用2：4解码器将与不良TSV关连或对应的信号位元重新定向至在该第一或该第二方向的毗邻合格TSV及/或至该冗余TSV的横行或直列。