[发明专利]一种半导体器件及其制作方法、电子装置

说明书

本发明提供一种半导体器件及其制作方法、电子装置，该制作方法包括下述步骤：提供半导体衬底，所述半导体衬底包括核心区和外围区，在所述核心区和外围区均形成有源区、位于所述有源区之上的栅极叠层以及覆盖所述有源区和栅极叠层的层间介电层；形成位于所述有源区之上的第一接触孔；在所述第一接触孔的侧壁上形成保护层；形成位于所述栅极叠层之上的第二接触孔。该制作方法通过在第一接触孔的侧壁上形成保护层，使得在后续工艺中第一接触孔的关键尺寸和剖面不容易受湿法工艺作用而发生变化，进而利于提高器件的性能。该半导体器件具有符合设计要求的所述有源区接触孔关键尺寸和剖面，因而利于提高所述半导体器件的性能。电子装置具有类似优点。

技术领域

本发明涉及半导体技术领域，具体而言涉及一种半导体器件及其制作方法、电子装置。

背景技术

NAND(与非门)闪存已经成为目前主流的非易失存储技术，被广泛应用于数据中心、个人电脑、手机、智能终端、消费电子等各个领域，而且仍然呈现需求不断增长的局面。随着NAND快闪存储器(flash memory)进入24nm以及以下技术节点，NAND快闪存储器中漏极接触的关键尺寸相应缩小。对于2X～1X(例如24nm～14nm)的NAND快闪存储器，漏极接触的蚀刻工艺由于深宽比很大而具有很大的挑战。漏极接触的底部关键尺寸需要足够小以便能够位于有源区之上。此外，器件剖面必须对钨(W)空隙填充友好。

然而，在制作NAND快闪存储器时，接触孔(CT)刻蚀之后的湿法工艺，比如去除光刻胶、去除刻蚀残余物、清洗等使用的湿法工艺会对关键尺寸和剖面有重要影响，使得诸如漏极接触的底部关键尺寸达不到设计要求，进而影响最终器件的性能。

因此有必要提出一种新的制作方法，以解决上述问题。

发明内容

在发明内容部分中引入了一系列简化形式的概念，这将在具体实施方式部分中进一步详细说明。本发明的发明内容部分并不意味着要试图限定出所要求保护的技术方案的关键特征和必要技术特征，更不意味着试图确定所要求保护的技术方案的保护范围。

针对现有技术的不足，本发明提出一种半导体器件的制作方法，可以避免湿法工艺对有源区接触孔关键尺寸和剖面的影响，使所述有源区接触孔关键尺寸和剖面符合设计要求，且利于填充。

为了克服目前存在的问题，本发明一方面提供一种半导体器件的制作方法，该方法包括下述步骤：提供半导体衬底，所述半导体衬底包括核心区和外围区，在所述核心区和外围区均形成有源区、位于所述有源区之上的栅极叠层以及覆盖所述有源区和栅极叠层的层间介电层；形成位于所述有源区之上的第一接触孔；在所述第一接触孔的侧壁上形成保护层；形成位于所述栅极叠层之上的第二接触孔。

进一步地，所述保护层为氮化物。

进一步地，所述保护层为氮化钛、氮化硅、氮化硼或氮化铝。

进一步地，形成位于有源区之上的第一接触孔的步骤包括：在所述层间介电层上依次形成第一硬掩膜层、第一抗反射层和第一光刻胶层；图形化所述第一光刻胶层，以使所述第一光刻胶层形成与所述第一接触孔对应的图案；以所述第一光刻胶层为掩膜刻蚀所述第一抗反射层和第一硬掩膜层，以在所述第一抗反射层和第一硬掩膜层中形成与所述第一接触孔对应的图案，同时去除所述第一光刻胶层；以所述第一抗反射层和所述第一硬掩膜层为掩膜刻蚀所述层间介电层，以形成位于所述有源区之上的第一接触孔；去除所述第一硬掩膜层。