[发明专利]一种反应腔室及半导体加工设备

权利要求书

1.一种反应腔室，在所述反应腔室的一侧设置有进气装置，用于向所述反应腔室内输送工艺气体，其特征在于，在所述反应腔室内设置有第一匀流板，所述第一匀流板和所述进气装置之间形成有气体缓冲区；

所述第一匀流板上设置有多个气体通道，以使所述气体缓冲区内的工艺气体经过所述气体通道均匀地输送至工艺区域；

在所述反应腔室内设置有承载装置；

所述第一匀流板在水平面上的正投影形状和与之相对的所述承载装置的外边缘在水平面上的正投影形状相一致；

所述第一匀流板各个位置距离所述承载装置外侧壁之间的垂直距离相等。

2.根据权利要求1所述的反应腔室，其特征在于，所述反应腔室内且位于所述进气装置和所述第一匀流板之间还设置有第二匀流板；

所述第二匀流板与所述进气装置、所述第一匀流板之间均存在预设间距，以将所述气体缓冲区划分为第一缓冲区和第二缓冲区；

所述第二匀流板上设置有多个气体通道，用于将所述第一缓冲区和所述第二缓冲区相连通。

3.根据权利要求1所述的反应腔室，其特征在于，所述反应腔室还包括：安装板，与所述第一匀流板的侧壁固定连接，且与所述反应腔室的内壁相平行。

4.根据权利要求2所述的反应腔室，其特征在于，所述反应腔室还包括：安装板，与所述第一匀流板和所述第二匀流板的侧壁均固定连接，且与所述反应腔室的内壁相平行。

5.根据权利要求3或4所述的反应腔室，其特征在于，所述安装板的数量与所述第一匀流板的侧壁数量相同，为多个，且二者一一对应。

6.根据权利要求5所述的反应腔室，其特征在于，所述多个安装板均朝向在所述第一匀流板的同一侧设置，且相邻两个所述安装板固定连接。

7.根据权利要求1所述的反应腔室，其特征在于，所述反应腔室为矩形腔室，所述进气装置设置在所述反应腔室的左侧壁或右侧壁上，用于沿趋于水平方向向所述反应腔室内输送工艺气体。

8.根据权利要求2所述的反应腔室，其特征在于，所述第二匀流板在水平面上的正投影形状和与之相对的所述承载装置的外边缘在水平面上的正投影形状相一致。

9.一种半导体加工设备，包括反应腔室，其特征在于，所述反应腔室采用权利要求1-8任意一项所述的反应腔室。

10.根据权利要求9所述的半导体加工设备，其特征在于，所述半导体加工设备包括化学气相沉积设备。