[发明专利]半导体发光芯片

权利要求书

1.一种半导体发光芯片，包括具有第一表面和第二表面的衬底，在所述衬底第一表面有—至少包括n型导电层、发光层和p型导电层的半导体叠层，在所述半导体叠层表面至少有一裸露出部分n型导电层的n型电极槽位；其特征在于，所述半导体发光芯片的部分或全部裸露的、具有导电性的表面和侧面被至少一绝缘层所包裹；

所述绝缘层表面设有裸露的至少一p型电极和至少一n型电极；所述p型电极和n型电极间彼此绝缘，并贯穿所述绝缘层分别与所述p型导电层和n型导电层导电连接；

裸露在所述绝缘层表面的所述p型电极的位置处设有与所述p型电极导电连接并紧贴在所述绝缘层表面的p型焊垫；裸露在所述绝缘层表面的所述n型电极的位置处设有与所述n型电极导电连接并紧贴在所述绝缘层表面的n型焊垫；

至少一所述p型焊垫和/或至少一所述n型焊垫向半导体发光芯片的外侧侧表面延伸，在所述半导体发光芯片外侧的部分或全部侧表面形成相应的侧焊垫。

2.根据权利要求1所述的半导体发光芯片，其特征在于，所述p型导电层表面与所述绝缘层之间设有p型电流扩展层；所述p型电极与所述p型电流扩展层导电连接；和/或，

所述n型电极槽位底面与所述绝缘层之间设有n型电流扩展层；所述n型电极与所述n型电流扩展层导电连接。

3.根据权利要求2所述的半导体发光芯片，其特征在于，所述p型电流扩展层包括p型导电扩展层、p型反射层、p型接触层中的一种或多种；所述n型电流扩展层包括n型导电扩展层、n型反射层、n型接触层中的一种或多种；或者，

所述p型电流扩展层包括p型反射层，所述n型电流扩展层包括n型反射层，所述半导体发光芯片为正面和/或侧面出光；或者，所述p型电流扩展层包括p型导电扩展层、和/或p型接触层；所述n型电流扩展层包括n型导电扩展层、和/或n型接触层，所述半导体发光芯片为正面、背面和/或侧面出光。

4.根据权利要求1所述的半导体发光芯片，其特征在于，所述n型电极与所述p型电极之间设有至少—紧贴在所述绝缘层表面的金属基导热焊垫，所述金属基导热焊垫与所述n型电极和p型电极之间彼此绝缘。

5.根据权利要求1所述的半导体发光芯片，其特征在于，所述n型焊垫与p型焊垫之间设有至少—紧贴在所述绝缘层表面的金属基导热焊垫，所述金属基导热焊垫与所述n型焊垫和p型焊垫之间彼此绝缘。

6.根据权利要求1所述的半导体发光芯片，其特征在于，该半导体发光芯片四周有一内凹；所述内凹位于所述半导体叠层一侧，所述内凹的底面位于所述衬底第一表面或所述衬底内，所述内凹侧面和底面被至少一所述绝缘层所包裹。

7.根据权利要求1所述的半导体发光芯片，其特征在于，所述绝缘层的部分或全部含有一光反射层；所述光反射层位于所述绝缘层的中间或位于所述绝缘层的裸露表面。

8.根据权利要求1-7任一项所述的半导体发光芯片，其特征在于，所述衬底为透光衬底；所述衬底第一表面和/或第二表面为平坦光滑表面或结构化表面；所述结构化表面包括锥状粗糙表面、凹凸表面、金字塔状表面中的一种或多种。

9.根据权利要求1-7任一项所述的半导体发光芯片，其特征在于，所述衬底侧面和/或所述半导体叠层侧面为与所述衬底第一表面垂直或斜交的光滑平面、光滑曲面、结构化平面、或结构化曲面；所述结构化包括凹凸、锯齿中的一种或多种。

10.根据权利要求1-7任一项所述的半导体发光芯片，其特征在于，所述n型电极槽位包括台阶和/或通孔。