[发明专利]金属浮栅MTP器件及其制备方法有效
| 申请号： | 201610207922.9 | 申请日： | 2016-04-01 |
| 公开（公告）号： | CN107293594B | 公开（公告）日： | 2020-05-01 |
| 发明（设计）人： | 施森华 | 申请（专利权）人： | 中芯国际集成电路制造（天津）有限公司;中芯国际集成电路制造（上海）有限公司 |
| 主分类号： | H01L29/788 | 分类号： | H01L29/788;H01L29/792;H01L29/10;H01L21/336 |
| 代理公司： | 上海思微知识产权代理事务所(普通合伙) 31237 | 代理人： | 屈蘅;李时云 |
| 地址： | 300385 天津市*** | 国省代码： | 天津;12 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 金属 mtp 器件 及其 制备 方法 | ||
1.一种金属浮栅MTP器件，其特征在于，包括：
衬底；
浅掺杂沟道增强区，形成于所述衬底的表面；
氧化物层和氮化物层，依次形成于所述衬底的浅掺杂沟道增强区上；
高k电介质层，形成于所述氮化物层上，且所述高k电介质层和所述氮化物层之间还设置有一氧化物电介质层；以及
金属浮栅，形成于所述高k电介质层上，且所述高k电介质层和所述金属浮栅之间还设置有一金属阻挡层。
2.如权利要求1所述的金属浮栅MTP器件，其特征在于，所述浅掺杂沟道增强区的掺杂剂量为5e14cm-3~1e15cm-3。
3.如权利要求1所述的金属浮栅MTP器件，其特征在于，所述浅掺杂沟道增强区的掺杂深度为350Å~500Å。
4.如权利要求1所述的金属浮栅MTP器件，其特征在于，所述氧化物层的厚度为30Å~50Å，所述氮化物层的厚度为50Å~70Å。
5.如权利要求1所述的金属浮栅MTP器件，其特征在于，所述氧化物层和氮化物层的特征尺寸均比所述金属浮栅的特征尺寸大5nm~10nm。
6.如权利要求1所述的金属浮栅MTP器件，其特征在于，所述衬底中具有深阱，所述浅掺杂沟道增强区位于所述深阱的表面。
7.如权利要求6所述的金属浮栅MTP器件，其特征在于，所述深阱的掺杂类型为P型，所述浅掺杂沟道增强区的掺杂类型为N型。
8.如权利要求1至7中任意一项所述的金属浮栅MTP器件，其特征在于，所述衬底中还包括源极区和漏极区，所述源极区和漏极区分别位于所述氧化物层的两侧。
9.如权利要求1至7中任意一项所述的金属浮栅MTP器件，其特征在于，所述高k电介质层的介电常数大于等于4.0。
10.一种金属浮栅MTP器件的制备方法，其特征在于，包括：
提供一衬底；
在所述衬底的表面进行离子注入形成浅掺杂沟道增强区；
在形成于所述衬底的浅掺杂沟道增强区上依次形成氧化物层和氮化物层；
在所述氮化物层上形成高k电介质层，且在所述高k电介质层和所述氮化物层之间形成一氧化物电介质层；以及
在所述高k电介质层上形成金属浮栅，且在所述高k电介质层和所述金属浮栅之间形成一金属阻挡层。
11.如权利要求10所述的金属浮栅MTP器件的制备方法，其特征在于，所述浅掺杂沟道增强区的掺杂剂量为5e14cm-3~1e15cm-3。
12.如权利要求10所述的金属浮栅MTP器件的制备方法，其特征在于，所述浅掺杂沟道增强区的掺杂深度为350Å~500Å。
13.如权利要求10所述的金属浮栅MTP器件的制备方法，其特征在于，所述氧化物层的厚度为30Å~50Å，所述氮化物层的厚度为50Å~70Å。
14.如权利要求10所述的金属浮栅MTP器件的制备方法，其特征在于，所述氧化物层和氮化物层的特征尺寸均比所述金属浮栅的特征尺寸大5nm~10nm。
15.如权利要求10所述的金属浮栅MTP器件的制备方法，其特征在于，所述衬底中具有深阱，所述浅掺杂沟道增强区位于所述深阱的表面。
16.如权利要求15所述的金属浮栅MTP器件的制备方法，其特征在于，所述深阱的掺杂类型为P型，所述浅掺杂沟道增强区的掺杂类型为N型。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于中芯国际集成电路制造（天津）有限公司;中芯国际集成电路制造（上海）有限公司，未经中芯国际集成电路制造（天津）有限公司;中芯国际集成电路制造（上海）有限公司许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
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