[发明专利]发光装置在审
申请号: | 201610206337.7 | 申请日: | 2012-03-05 |
公开(公告)号: | CN105789153A | 公开(公告)日: | 2016-07-20 |
发明(设计)人: | 苏柏仁;李允立;陈正言;许国君 | 申请(专利权)人: | 新世纪光电股份有限公司 |
主分类号: | H01L23/367 | 分类号: | H01L23/367;H01L33/64 |
代理公司: | 北京同立钧成知识产权代理有限公司 11205 | 代理人: | 马雯雯;臧建明 |
地址: | 中国台湾台南市*** | 国省代码: | 中国台湾;71 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 发光 装置 | ||
1.一种发光装置,其特征在于,包括:
一电路载体,具有一第一电极及一第二电极;
一绝缘层,设置在所述电路载体上;
一第一图案化导体层,设置在所述绝缘层上;
一发光二极管芯片,设置在所述绝缘层及所述第一图案化导体层上,并 暴露部分所述第一图案化导体层,所述发光二极管芯片具有一半导体层,所 述半导体层包括一第一型掺杂层、一发光层及一第二型掺杂层,所述发光层 位于所述第一型掺杂层与所述第二型掺杂层之间,所述第一型掺杂层与所述 第一图案化导体层电性连接;
一第一导电连接结构,以打线方式连接所述第一电极及暴露的部分所述 第一图案化导体层,使得所述第一型掺杂层与所述第一电极电性连接;以及 一第二导电连接结构,电性连接所述第二型掺杂层与所述第二电极。
2.根据权利要求1所述的发光装置,其特征在于,还包括一第二图案化 导体层,设置在所述绝缘层上,其中所述第二型掺杂层与所述第二图案化导 体层电性连接,所述第二导电连接结构电性连接所述第二图案化导体层与所 述第二电极。
3.根据权利要求2所述的发光装置,其特征在于,所述发光二极管芯片 还包括一芯片基板及多个导电接点,所述半导体层位于所述芯片基板与所述 多个导电接点之间,而所述多个导电接点分别连接所述第一图案化导体层与 所述第二图案化导体层。
4.根据权利要求1所述的发光装置,其特征在于,所述第二导电连接结 构包括打线、电线或共晶结构。
5.根据权利要求2所述的发光装置,其特征在于,所述发光二极管芯片 设置在所述绝缘层及所述第二图案化导体层上,并暴露部分所述第二图案化 导体层,所述第二导电连接结构以打线方式连接所述第二电极及暴露的部分 所述第二图案化导体层。
6.根据权利要求3所述的发光装置,其特征在于,所述发光二极管芯片 还包括一反射层,配置于所述半导体层与所述多个导电接点之间。
7.根据权利要求6所述的发光装置,其特征在于,所述反射层位在所述 多个导电接点之间的所述半导体层的侧壁上,覆盖所述第一型掺杂层、所述 发光层及所述第二型掺杂层。
8.根据权利要求1所述的发光装置,其特征在于,所述电路载体包括一 导线架、一线路基板或一印刷电路板。
9.一种发光装置,其特征在于,包括:
一电路载体,具有一电极;
一绝缘层,设置在所述电路载体上;
一图案化导体层,设置在所述绝缘层上;
一发光二极管芯片,设置在所述绝缘层及所述图案化导体层上,所述发 光二极管芯片与所述图案化导体层电性连接并暴露部分所述图案化导体层;
一导电连接结构,以打线方式连接所述电极及暴露的部分所述图案化导 体层。
10.根据权利要求9所述的发光装置,其特征在于,所述发光二极管芯 片还包括一芯片基板、一半导体层及多个导电接点,所述半导体层位于所述 芯片基板与所述多个导电接点之间,而所述多个导电接点分别连接所述图案 化导体。
11.根据权利要求10所述的发光装置,其特征在于,所述发光二极管芯 片还包括一反射层,配置于所述半导体层与所述多个导电接点之间。
12.根据权利要求11所述的发光装置,其特征在于,所述反射层位在所 述多个导电接点之间的所述半导体层的侧壁上,覆盖所述半导体层的一第一 型掺杂层、一发光层及一第二型掺杂层。
13.一种发光装置,其特征在于,包括;
一基板;
多个图案化导电层,设置在所述基板上;
一绝缘层,至少设置在所述多个图案化导电层之间的基板上;
一发光二极管芯片,设置在所述基板上并与所述多个图案化导电层电性 连接;以及
多个导电连接结构,以打线或电线方式,使得所述多个图案化导电层与 一外部电路电性连接。
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