[发明专利]显示面板及其制作方法在审
| 申请号： | 201610182726.0 | 申请日： | 2011-07-26 |
| 公开（公告）号： | CN105590897A | 公开（公告）日： | 2016-05-18 |
| 发明（设计）人： | 丁景隆;周政旭;张荣芳 | 申请（专利权）人： | 群创光电股份有限公司;群康科技(深圳)有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/77 | 分类号： | H01L21/77;H01L27/04;H01L27/12 |
| 代理公司： | 上海专利商标事务所有限公司 31100 | 代理人： | 骆希聪 |
| 地址： | 中国台湾新竹科学工*** | 国省代码： | 中国台湾;71 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 显示 面板 及其 制作方法 | ||
1.一种显示面板，包括：
一基板，包括一有源区和一像素区；
一第一金属层，位于该基板上；
一绝缘层，位于该第一金属层上；
一氧化物半导体层，位于该有源区和该像素区上方，其中该有源区上方的 该氧化物半导体层和该像素区上方的该氧化物半导体层是同时形成在该绝缘 层上；及
一第二金属层，连接该有源区上方的该氧化物半导体层和该像素区上方的 该氧化物半导体层。
2.一种显示面板，包括：
一基板，包括一有源区和一像素区；
一第一金属层，位于该基板上；
一绝缘层，位于该第一金属层上；
一氧化物半导体层，位于该有源区和该像素区上方的该绝缘层上，其中该 有源区上方的该氧化物半导体层和该像素区上方的该氧化物半导体层直接接 触该绝缘层；及
一第二金属层，连接该有源区上方的该氧化物半导体层和该像素区上方的 该氧化物半导体层。
3.如权利要求1或2所述的显示面板，其特征在于，该像素区上方的该氧 化物半导体层通过进行一处理步骤藉以具备导电性。
4.如权利要求1或2所述的显示面板，其特征在于，该第二金属层直接接 触该像素区上方的该氧化物半导体层。
5.如权利要求1或2所述的显示面板，其特征在于，还包括：
一保护层位于该第二金属层上，其中该保护层覆盖该第二金属层和该有源 区上方的该氧化物半导体层，并暴露部份该像素区上方的该氧化物半导体层。
6.如权利要求1或2所述的显示面板，其特征在于，还包括：
一保护层位于该第二金属层上，其中该保护层覆盖该有源区上方的该氧化 物半导体层、该第二金属层和和该像素区上方的该氧化物半导体层。
7.如权利要求6所述的显示面板，其特征在于，还包括一透明导电层位于 该保护层上。
8.如权利要求1或2所述的显示面板，其特征在于，还包括：
一蚀刻停止层位于该有源区上方的该氧化物半导体层上并包括一第一开 口，其中该第二金属层通过该第一开口连接该有源区上的该氧化物半导体层。
9.如权利要求8所述的显示面板，其特征在于，该蚀刻停止层还位于该像 素区上方的该氧化物半导体层上并包括一第二开口，其中该第二金属层通过该 第二开口连接该像素区上的该氧化物半导体层。
10.如权利要求1或2所述的显示面板，其特征在于，该氧化物半导体层 为氧化锌、铟锌氧化物、镓锌氧化物、铟锡锌氧化物、铟铪锌氧化物或铟镓锌 氧化物。
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H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
