[发明专利]半导体结构及其形成方法

权利要求书

1.一种半导体结构的形成方法，其特征在于，包括：

提供衬底，所述衬底包括第一区域、环绕所述第一区域且与所述第一区域相邻的第二区域，以及环绕所述第二区域且与所述第二区域相邻的第三区域，所述第一区域用于形成发射极，所述第二区域用于形成基极，所述第三区域用于形成集电极；

刻蚀所述衬底，形成鳍部，所述第一区域的鳍部密度大于所述第二区域和第三区域的鳍部密度；

在所述第一区域的鳍部内形成第一开口，所述第一开口垂直于所述衬底表面方向的剖面形状为U形；

在所述第一开口中形成第一连接层；

对所述第一连接层进行离子掺杂，以形成发射极；

在第二区域的鳍部内形成基极；

在第三区域的鳍部内形成集电极。

2.如权利要求1所述的半导体结构的形成方法，其特征在于，形成所述鳍部后，在所述第一区域的鳍部内形成第一开口之前，还包括：

在所述第一区域以及第二区域的衬底内形成第一阱区；

在所述第三区域的衬底内形成第二阱区，所述第二阱区的掺杂类型与所述第一阱区的掺杂类型不同。

3.如权利要求2所述的半导体结构的形成方法，其特征在于，所述第一阱区为N型阱区，所述第二阱区为P型阱区。

4.如权利要求1所述的半导体结构的形成方法，其特征在于，所述第一连接层的材料为SiC或SiCP。

5.如权利要求1所述的半导体结构的形成方法，其特征在于，在所述第一区域的鳍部内形成第一开口的步骤中，在所述第二区域的鳍部内形成第二开口；

在所述第一开口中形成第一连接层的步骤中，在所述第二开口中形成第二连接层；

在形成所述第一连接层和第二连接层之后，对所述第一连接层进行离子掺杂之前，还包括：在所述第三区域的鳍部内形成第三开口；在所述第三开口中形成第三连接层。

6.如权利要求5所述的半导体结构的形成方法，其特征在于，所述第二开口垂直于所述衬底表面方向的剖面形状为U形；

所述第二连接层的材料为SiC或SiCP。

7.如权利要求5所述的半导体结构的形成方法，其特征在于，所述第三开口垂直于所述衬底表面方向的剖面形状为Sigma形；

所述第三连接层的材料为SiGe或SiGeB。

8.如权利要求5所述的半导体结构的形成方法，其特征在于，在所述第二区域的鳍部内形成基极的步骤中，对所述第二连接层进行离子掺杂，以形成基极；

在所述第三区域的鳍部内形成集电极的步骤中，对所述第三连接层进行离子掺杂，以形成集电极。

9.如权利要求8所述的半导体结构的形成方法，其特征在于，所述衬底用于形成PNP双极结型晶体管，对所述第一连接层进行离子掺杂的工艺为P型离子掺杂工艺；对所述第二连接层进行离子掺杂的工艺为N型离子掺杂工艺；对所述第三连接层进行离子掺杂的工艺为P型离子掺杂工艺。

10.如权利要求9所述的半导体结构的形成方法，其特征在于，对所述第一连接层进行离子掺杂的工艺参数包括：掺杂的离子为磷离子、砷离子或锑离子，离子能量为1Kev至30Kev，离子剂量为1E15至8E15原子每平方厘米。

11.如权利要求1所述的半导体结构的形成方法，其特征在于，对所述第一连接层进行离子掺杂的步骤包括：

在形成所述第一连接层的过程中进行原位自掺杂；

或者，在形成所述第一连接层之后对所述第一连接层进行离子掺杂工艺。

12.如权利要求1所述的半导体结构的形成方法，其特征在于，形成所述第一连接层的工艺为化学气相沉积外延生长法。