[发明专利]一种显示基板及其制作方法和显示装置

权利要求书

1.一种显示基板的制作方法，其特征在于，所述方法包括：

采用非晶硅材料在衬底基板上形成包括有源层的图形，所述有源层包括至 少一个高厚膜区域，所述高厚膜区域的膜层厚度大于所述有源层其它区域的 膜层厚度；

使所述有源层中的非晶硅材料晶化成多晶硅材料。

2.如权利要求1所述的方法，其特征在于，采用非晶硅材料在衬底基板 上形成包括有源层的图形，所述有源层包括至少一个高厚膜区域，包括：

在所述衬底基板上形成非晶硅材料层；

利用退火工艺，去除非晶硅材料中的氢；

利用半色调掩膜板，在衬底基板上形成包括有源层的图形，所述有源层包 括多个规则排列的高厚膜区域。

3.如权利要求1所述的方法，其特征在于，使所述有源层中的非晶硅材 料晶化成多晶硅材料，包括：

利用激光照射所述有源层，使所述有源层中的非晶硅材料晶化成多晶硅材 料。

4.如权利要求3所述的方法，其特征在于，所述利用激光照射所述有源 层，使所述有源层中的非晶硅材料晶化成多晶硅材料，包括：

利用准分子激光照射所述有源层，使所述有源层中的非晶硅材料晶化成多 晶硅材料。

5.如权利要求4所述的方法，其特征在于，利用准分子激光照射所述有 源层，使所述有源层中的非晶硅材料晶化成多晶硅材料，包括：

利用准分子激光照射所述有源层，使所述有源层的高厚膜区域的非晶硅材 料呈不完全熔融状态，除所述高厚膜区域以外的其它区域的非晶硅材料呈完 全熔融状态，晶化后形成以所述高厚膜区域的不完全熔融状态的非晶硅材料 为晶核的多晶体材料。

6.如权利要求1所述的方法，其特征在于，在衬底基板上形成包括有源 层的图形之前，所述方法还包括：在所述衬底基板上形成缓冲层，所述缓冲 层位于所述衬底基板与所述有源层之间。

7.如权利要求1所述的方法，其特征在于，所述方法还包括：采用离子 注入的方式，在所述有源层中形成源漏掺杂区。

8.如权利要求7所述的方法，其特征在于，在对所述有源层进行离子注 入之前，所述方法还包括：

在所述有源层的基板上形成栅绝缘层；

在包括所述栅绝缘层的基板上形成包括栅极的图形。

9.如权利要求8所述的方法，其特征在于，所述方法还包括：

从所述衬底基板背向有源层的一侧采用激光对所述有源层进行照射，使所 述源漏掺杂区的离子活化。

10.如权利要求7所述的方法，其特征在于，所述方法还包括：

采用激光对所述有源层进行照射，使所述源漏掺杂区的离子活化；

在所述有源层的上方形成栅绝缘层；

在所述栅绝缘层的上方形成栅极。

11.如权利要求9或10所述的方法，其特征在于，所述激光为准分子激 光。

12.如权利要求9或10所述的方法，其特征在于，所述方法还包括：

在所述栅极的上方形成钝化层，以及贯穿所述栅绝缘层和钝化层的第一过 孔和第二过孔；

在所述钝化层的上方形成源极和漏极；其中，所述源极通过得到第一过孔 与所述有源层电连接，所述漏极与所述第二过孔与所述有源层电连接；

在所述源极和漏极的上方形成平坦层，以及贯穿所述平坦层的第三过孔；

在所述平坦层的上方形成像素电极，且使得所述像素电极通过所述第三过 孔与所述漏极电连接。

13.如权利要求12所述的方法，其特征在于，所述方法还包括在所述像 素电极的上方形成配向膜层。

14.一种显示基板，其特征在于，所述显示基板采用如权利要求1～13任 一权项所述的方法制作。

15.一种显示装置，其特征在于，所述显示装置包括如权利要求14所述 的显示基板。