[发明专利]薄膜晶体管阵列基板及其制备方法、触摸显示面板有效
申请号: | 201610087081.2 | 申请日: | 2016-02-16 |
公开(公告)号: | CN105552077B | 公开(公告)日: | 2019-05-03 |
发明(设计)人: | 龚强 | 申请(专利权)人: | 武汉华星光电技术有限公司 |
主分类号: | H01L27/02 | 分类号: | H01L27/02;H01L21/77;G02F1/1368 |
代理公司: | 深圳市铭粤知识产权代理有限公司 44304 | 代理人: | 孙伟峰;侯艺 |
地址: | 430070 湖北省武汉市*** | 国省代码: | 湖北;42 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 薄膜晶体管 阵列 及其 制备 方法 触摸 显示 面板 | ||
1.一种薄膜晶体管阵列基板的制作方法,其特征在于,包括以下步骤:
提供一设有平坦化层的薄膜晶体管阵列基板;对所述平坦化层进行曝光、显影,得到朝向所述平坦化层自身内部凹陷的若干间隔设置的凹槽;在所述凹槽中形成触控电极引线,使所述触控电极引线的上表面与所述平坦化层的上表面处于同一平面,所述薄膜晶体管阵列基板划分为第一区域和第二区域,对所述平坦化层进行曝光、显影包括:采用半色调掩膜对位于第一区域的所述平坦化层进行不完全曝光后,进行显影,得到所述平坦化层的所述凹槽;对所述平坦化层进行曝光、显影还包括:采用普通掩膜对位于第二区域的所述平坦化层进行完全曝光后,进行显影,得到贯穿于所述平坦化层的开孔。
2.如权利要求1所述的制作方法,其特征在于:在所述凹槽中形成触控电极引线是在设有所述凹槽的平坦化层上沉积金属层,并对所述金属层进行蚀刻,除去位于所述平坦层上表面的金属层,留下位于所述凹槽中的金属层,在所述凹槽中的金属层为所述触控电极引线。
3.一种触控显示面板,包括相对设置的彩膜基板和薄膜晶体管阵列基板,以及设置于所述彩膜基板和所述薄膜晶体管阵列基板之间的液晶层;所述彩膜基板的下表面朝向所述薄膜晶体管阵列基板的方向延伸设有若干间隔体,所述薄膜晶体管阵列基板的上表面设有平坦化层,其特征在于:
所述平坦化层朝向自身内部凹陷形成若干间隔设置的凹槽,在所述凹槽中容置有触控电极引线,且所述触控电极引线的上表面与所述平坦化层的上表面处于同一水平位置;所述彩膜基板的下表面和所述薄膜晶体管阵列基板上表面相对设置组合后,全部或部分所述间隔体抵顶在所述彩膜基板和所述薄膜晶体管阵列基板之间,且所述间隔体在所述薄膜晶体管阵列基板上的投影位置对应于所述触控电极引线的位置,所述触控电极引线和所述平坦化层上还设有膜层结构,所述膜层结构为平面;全部或部分所述间隔体抵顶在所述彩膜基板的下表面和所述膜层结构的上表面之间。
4.如权利要求3所述的触控显示面板,其特征在于:所述间隔体包括第一柱形间隔体和第二柱形间隔体,且所述第一柱形间隔体高于所述第二柱形间隔体,所述触控电极引线包括第一触控电极引线和第二触控电极引线,所述彩膜基板的下表面和所述膜层结构的上表面相对设置组合后,所述第一柱形间隔体抵顶在所述彩膜基板和下方对应设有所述第一触控电极引线的所述膜层结构之间,所述第二柱形间隔体对应设置在下方对应设有所述第二触控电极引线的所述膜层结构的上方,并与所述膜层结构之间间隔距离设置。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的;包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的;包括有热磁组件的