[发明专利]半导体结构的形成方法

权利要求书

1.一种半导体结构的形成方法，其特征在于，包括：

提供基底，所述基底表面形成有分立的栅极结构，所述基底表面还形成有覆盖栅极结构的介质层，且所述介质层顶部高于栅极结构顶部；

在所述介质层表面形成具有开口的第一掩膜层，所述开口暴露出位于相邻栅极结构之间的介质层表面；

在所述开口暴露出的介质层上形成第二掩膜层，所述第二掩膜层横跨相邻栅极结构之间的介质层以及所述开口，且所述第二掩膜层的宽度大于相邻栅极结构之间的宽度；

以所述第二掩膜层为掩膜，刻蚀位于所述第二掩膜层两侧、且还位于所述开口下方的介质层，直至暴露出基底表面，在所述介质层内形成分立的接触孔；

去除所述第一掩膜层和第二掩膜层；

形成填充满所述接触孔的导电插塞。

2.如权利要求1所述的形成方法，其特征在于，所述第一掩膜层的材料与第二掩膜层的材料相同。

3.如权利要求2所述的形成方法，其特征在于，在形成所述第二掩膜层之前，还包括步骤，在所述第一掩膜层表面以及所述开口暴露出的介质层表面形成刻蚀停止层，所述刻蚀停止层的材料与第一掩膜层的材料不同，所述刻蚀停止层的材料与第二掩膜层的材料不同；对所述刻蚀停止层顶部表面进行平坦化处理，其中，所述第二掩膜层位于所述刻蚀停止层上方。

4.如权利要求3所述的形成方法，其特征在于，所述刻蚀停止层的材料为氧化硅或氮氧化硅。

5.如权利要求3所述的形成方法，其特征在于，所述刻蚀停止层的厚度为50埃至400埃。

6.如权利要求3所述的形成方法，其特征在于，形成所述第二掩膜层的工艺步骤包括：在所述刻蚀停止层表面形成第二初始掩膜；在所述第二初始掩膜表面形成第二图形层；以所述第二图形层为掩膜，刻蚀所述第二初始掩膜直至暴露出刻蚀停止层表面，形成所述第二掩膜层；去除所述第二图形层。

7.如权利要求6所述的形成方法，其特征在于，所述第二图形层为第二图形化光刻胶层。

8.如权利要求6所述的形成方法，其特征在于，所述第二图形层包括第二底部抗反射层以及位于第二底部抗反射层表面的第二图形化光刻胶层。

9.如权利要求6所述的形成方法，其特征在于，所述第二初始掩膜层的材料包括光刻胶。

10.如权利要求1所述的形成方法，其特征在于，所述第一掩膜层的材料为氮化钛、氮化铝、氮化铜或氮化硼；所述第二掩膜层的材料为氮化钛、氮化铝、氮化铜或氮化硼。

11.如权利要求1所述的形成方法，其特征在于，形成所述第一掩膜层的工艺步骤包括：在所述介质层表面形成第一初始掩膜；在所述第一初始掩膜表面形成第一图形层；以所述第一图形层为掩膜，刻蚀所述第一初始掩膜，形成具有开口的所述第一掩膜层；去除所述第一图形层。

12.如权利要求11所述的形成方法，其特征在于，所述第一图形层包括第一底部抗反射层以及位于第一底部抗反射层表面的第一图形化光刻胶层。

13.如权利要求1所述的形成方法，其特征在于，所述介质层包括位于基底表面的第一介质层以及位于第一介质层表面的第二介质层，其中，所述第一介质层顶部与栅极结构顶部齐平。

14.如权利要求13所述的形成方法，其特征在于，所述栅极结构包括栅介质层以及位于栅介质层表面的栅电极层。

15.如权利要求14所述的形成方法，其特征在于，在平行于栅极结构排列方向上，所述开口的宽度小于或等于相邻栅极结构之间的宽度。