[发明专利]一种TFT基板、显示装置以及制造方法

说明书

技术领域

本发明涉及显示技术领域，尤其涉及一种TFT基板、显示装置以 及制造方法。

背景技术

在显示技术领域，液晶显示器(LiquidCrystalDisplay，LCD)与有机 发光二极管显示器(OrganicLightEmittingDiode，OLED)等平板显示技术 已经逐步取代CRT显示器。其中，OLED具有自发光、驱动电压低、发 光效率高、响应时间短、清晰度与对比度高、近180°视角、使用温度 范围宽，可实现柔性显示与大面积全色显示等诸多优点，被业界公认为 是最有发展潜力的显示装置。

AMOLED电路架构，通常至少需要两颗TFT组成，其中开关TFT 漏极会作为第二颗驱动TFT的栅极，传统布局方式通常通过转层来实 现，但是通过金属桥接转层占用了布局空间，随着HighPPI的竞争，传 统的电路结构设计已经无法适应更高PPI的需要。

发明内容

本发明主要解决的技术问题是提供一种TFT基板、显示装置以及制 造方法，能够使节省空间，有利于更高PPI的实现。

为解决上述技术问题，本发明提供一种TFT基板，包括基板以及形 成在所述基板上的第一TFT结构和第二TFT结构，其中第一TFT结构 包括第一栅极图案和第一半导体图案，第一半导体图案划分为第一沟道 区以及位于第一沟道区两侧的第一掺杂区和第二掺杂区，其中，第一沟 道区与第一栅极图案对应设置，进而能够在第一栅极图案的作用下形成 第一导电沟道，第一掺杂区延伸至第二TFT结构内并作为第二TFT结 构的第二栅极图案。

其中，第二TFT结构进一步包括第二半导体图案，第二半导体图案 划分为第二沟道区以及位于第二沟道区两侧的第三掺杂区和第四掺杂 区，第二沟道区与第一掺杂区延伸至第二TFT结构内的部分对应设置， 进而能够在第一掺杂区的作用下形成第二导电沟道。

其中，第一沟道区与第一栅极图案至少部分设置，第二沟道区与第 一掺杂区延伸至第二TFT结构内的部分至少部分重叠设置。

其中，第一半导体图案和第二半导体图案在长度方向彼此垂直，以 使得第三掺杂区和第四掺杂区在基板上的投影分别位于第一掺杂区在 基板上的投影的两侧。

其中，第一栅极图案位于基板与第一半导体图案之间，第一TFT结 构和第二TFT结构进一步包括用于间隔第一栅极图案与第一半导体图 案的第一绝缘层、用于间隔第一半导体图案与第二半导体图案的第二绝 缘层以及用于覆盖第二半导体图案和第二绝缘层的第三绝缘层；

第一TFT结构进一步包括形成于第三绝缘层上的第一源极/漏极图 案，第一TFT结构进一步设置有贯穿第三绝缘层和第二绝缘层的第一通 孔，第一源极/漏极图案经第一通孔与第二掺杂区电性接触；

第二TFT结构进一步包括形成于第三绝缘层上的第二源极/漏极图 案和第三源极/漏极图案；第二TFT结构进一步设置有贯穿第三绝缘层 的第二通孔和第三通孔，第二源极/漏极图案和第三源极/漏极图案分别 经第二通孔和第三通孔与第三掺杂区和第四掺杂区电性接触。

其中，第一栅极图案位于第一半导体图案远离基板的一侧，第一TFT 结构和第二TFT结构进一步包括用于间隔第一栅极图案与第一半导体 图案的第一绝缘层、用于间隔第一栅极图案与第二半导体图案的第二绝 缘层以及用于覆盖第二半导体图案和第二绝缘层的第三绝缘层；

第一TFT结构进一步包括形成于第三绝缘层上的第一源极/漏极图 案，第一TFT结构进一步设置有贯穿第三绝缘层、第二绝缘层和第一绝 缘层的第一通孔，第一源极/漏极图案经第一通孔与第二掺杂区电性接 触；

第二TFT结构进一步包括形成于第三绝缘层上的第二源极/漏极图 案和第三源极/漏极图案；第二TFT结构进一步设置有贯穿第三绝缘层 的第二通孔和第三通孔，第二源极/漏极图案和第三源极/漏极图案分别 经第二通孔和第三通孔与第三掺杂区和第四掺杂区电性接触。

本发明还提供了一种显示装置，包括上述任意一项的TFT基板。

本发明还提供了一种TFT基板的制造方法，制造方法包括以下步 骤：

形成用于第一TFT结构的第一栅极图案和第一半导体图案，其中第 一半导体图案划分为第一沟道区以及位于第一沟道区两侧的第一掺杂 区和第二掺杂区，其中，第一沟道区与第一栅极图案对应设置；