[发明专利]一种基于FinFET器件的双时钟控制触发器

说明书

本发明公开了一种基于FinFET器件的双时钟控制触发器，包括第一反相器和第二反相器构成的时钟控制部分，第三反相器、第四反相器、第一FinFET管和第二FinFET管构成的主锁存器以及第五反相器、第六反相器、第三FinFET管和第四FinFET管构成的从锁存器，主锁存器和从锁存器的工作状态均由时钟控制触发器的时钟信号输入端输入的时钟信号控制，在该时钟信号控制下主锁存器和从锁存器交替工作；优点是在不影响电路性能的情况下，电路面积、延时、功耗和功耗延时积均较小。

技术领域

本发明涉及一种双时钟控制触发器，尤其是涉及一种基于FinFET器件的双时钟控制触发器。

背景技术

近几十年来，便携式电子设备在消费电子、医学设备及工业仪器等领域的应用日益广泛，集成电路作为便携式电子设备中的核心部分得到了飞速发展。触发器作为电子系统的一种基本运算单元，被广泛运用在大规模的集成电路设计中。如在性能要求比较高的微处理器以及单片机系统中，触发器的性能对整个系统性能的影响特别重要。由于电路采用直流电源供电，电路的能量全部转换为热能散发出去，产生不可逆转的形式变换。我们可以通过减少开关冗余跳变、降低节点电容以及降低电源电压的方法降低电路功耗。其中，降低电源电压是最常用的低功耗设计技术之一。因为电路的动态功耗与电源电压的平方呈线性关系，电路的静态功耗和漏功耗与电源电压呈线性关系。所以，降低电源电压是降低电路功耗的最有效手段之一。但是，若电源电压值太小，电路的延时性能变差，电路工作速度和电路数据通量会收到极大的抑制。

延时、功耗和功耗延时积是体现触发器性能的主要三个因素，优化这三个因素可以优化触发器的性能从而提高整体系统的性能，其中，功耗延时积为功耗和延时的乘积，单位为焦耳，因此功耗延时积是能量的衡量，可以作为一个开关器件性能的度量。在功耗延时积基本不变的情况下，面积也是制约电路一个重要因素。

FinFET管(鳍式场效晶体管，Fin Field-Effect Transistor)是一种新的互补式金氧半导体(CMOS)晶体管，具有功耗低，面积小的优点。鉴此，设计一种在不影响电路性能的情况下，电路面积、延时、功耗和功耗延时积均较小的基于FinFET器件的双时钟控制触发器具有重要意义。

发明内容

本发明所要解决的技术问题是提供一种在不影响电路性能的情况下，面积、延时、功耗和功耗延时积均较小的基于FinFET器件的双时钟控制触发器。