[发明专利]基于固源化学气相沉积法生长单晶黑磷的方法在审
| 申请号： | 201610013415.1 | 申请日： | 2016-01-11 |
| 公开（公告）号： | CN105603517A | 公开（公告）日： | 2016-05-25 |
| 发明（设计）人： | 陈长鑫 | 申请（专利权）人： | 上海交通大学 |
| 主分类号： | C30B29/02 | 分类号： | C30B29/02;C30B25/00 |
| 代理公司： | 上海交达专利事务所 31201 | 代理人： | 王毓理;王锡麟 |
| 地址： | 200240 *** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 基于 化学 沉积 生长 黑磷 方法 | ||
【权利要求书】：
1.一种基于固源化学气相沉积法生长单晶黑磷的方法，其特征在于，通过在真空条件下 将红磷、金属锡和四碘化锡置于密封腔的一端作为高温区，并预留密封腔的另一端作为低温区； 然后分别加热高温区和低温区进行反应，并采用梯度方式进行降温，在低温区即得单晶黑磷。
2.根据权利要求1所述的基于固源化学气相沉积法生长单晶黑磷的方法，其特征是，所 述的红磷、金属锡和四碘化锡的重量份数比例为10～100:1～10:1。
3.根据权利要求1所述的基于固源化学气相沉积法生长单晶黑磷的方法，其特征是，所 述的高温区和低温区独立升温、同步降温。
4.根据权利要求1所述的基于固源化学气相沉积法生长单晶黑磷的方法，其特征是，所 述的梯度降温方式中降温阶段为5～10min内降温10℃，保温阶段时间为0.5～2h。
5.根据权利要求1所述的基于固源化学气相沉积法生长单晶黑磷的方法，其特征是，所 述的高温区和低温区的温度差为1～200℃。
6.根据权利要求1所述的基于固源化学气相沉积法生长单晶黑磷的方法，其特征是，所 述的加热其最高温度为450～1000℃。
7.根据权利要求1所述的基于固源化学气相沉积法生长单晶黑磷的方法，其特征是，所 述的生长时间为8～160h。
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