[发明专利]阵列基板及其制作方法、显示装置

说明书

本发明提供了一种阵列基板及其制作方法、显示装置，属于显示技术领域。其中，阵列基板的制作方法包括：在绝缘层上通过一次构图工艺形成栅电极、栅线、数据线、源电极和漏电极，使栅电极、栅线、数据线、源电极和漏电极同层同材料设置。本发明的技术方案能够减少制备阵列基板时构图工艺的次数，提高生产效率，降低制作成本，同时能够有效降低阵列基板的源电极、漏电极与栅电极之间的耦合电容，从而降低阵列基板的功耗。

技术领域

本发明涉及显示技术领域，特别是指一种阵列基板及其制作方法、显示装置。

背景技术

随着TFT(Thin Film Transistor，薄膜晶体管)产业的进步及工艺的改善，ADS(ADvanced Super Dimension Switch，高级超维场转换)广视角技术已被应用到越来越多的产品当中，包括手机、数码相机、平板电脑、笔记本电脑、及液晶电视等，其优良的显示特性已被越来越多的用户所推崇，市场竞争力很强。

ADS技术是通过同一平面内狭缝电极边缘所产生的电场以及狭缝电极层与板状电极层间产生的电场形成多维电场，使液晶盒内狭缝电极间、电极正上方所有取向液晶分子都能够产生旋转，从而提高了液晶工作效率并增大了透光效率。高级超维场转换技术可以提高TFT-LCD(Thin Film Transistor-Liquid Crystal Display，薄膜场效应晶体管液晶显示器)产品的画面品质，具有高分辨率、高透过率、低功耗、宽视角、高开口率、低色差、无挤压水波纹(push Mura)等优点。

目前Oxide(金属氧化物半导体)技术发展迅速，金属氧化物半导体凭借其简单的制备工艺以及优异的光电学性能而成为TFT阵列基板有源层的理想材料；另外，由于高PPI(像素密度)的要求，顶栅型TFT结构的开发也成为必然，但现有技术至少需要6-8道构图工艺才能制备ADS模式的Oxide顶栅型TFT阵列基板，构图工艺较多，大大制约了产能，同时也增加了阵列基板的制作成本。

发明内容

本发明要解决的技术问题是提供一种阵列基板及其制作方法、显示装置，能够减少制备阵列基板时构图工艺的次数，提高生产效率，降低制作成本，同时能够有效降低阵列基板的源电极、漏电极与栅电极之间的耦合电容，从而降低阵列基板的功耗。

为解决上述技术问题，本发明的实施例提供技术方案如下：

一方面，提供一种阵列基板的制作方法，所述制作方法包括：

在栅绝缘层上通过一次构图工艺形成栅电极、栅线、数据线、源电极和漏电极，使栅电极、栅线、数据线、源电极和漏电极同层同材料设置。

进一步地，在形成栅电极、栅线、数据线、源电极和漏电极的构图工艺中，同时形成公共电极。

进一步地，通过一次构图工艺形成栅电极、栅线、数据线、源电极、漏电极和公共电极包括：

形成第一透明导电层；

在所述第一透明导电层上形成金属层；

在所述金属层上涂覆光刻胶，采用灰色调掩膜板对光刻胶进行曝光，形成光刻胶未保留区域、光刻胶部分保留区域和光刻胶完全保留区域，光刻胶部分保留区域对应公共电极的图形，光刻胶完全保留区域对应栅电极、栅线、数据线、源电极和漏电极的图形；

曝光显影之后完全刻蚀掉光刻胶未保留区域的所述金属层和所述第一透明导电层；

去除光刻胶部分保留区域的光刻胶，完全刻蚀掉光刻胶部分保留区域的所述第一透明导电层，形成所述公共电极；

去除光刻胶完全保留区域的光刻胶，形成所述栅电极、栅线、数据线、源电极和漏电极。

进一步地，通过一次构图工艺形成栅电极、栅线、数据线、源电极、漏电极之前，所述制作方法还包括：

提供一衬底基板；