[发明专利]阵列基板及其制作方法、显示装置

权利要求书

1.一种阵列基板的制作方法，其特征在于，所述制作方法包括：

在栅绝缘层上通过一次构图工艺形成栅电极、栅线、数据线、源电极和漏电极，使栅电极、栅线、数据线、源电极和漏电极同层同材料设置；

在形成栅电极、栅线、数据线、源电极和漏电极的构图工艺中，同时形成公共电极；

通过一次构图工艺形成栅电极、栅线、数据线、源电极、漏电极和公共电极包括：

形成第一透明导电层；

在所述第一透明导电层上形成金属层；

在所述金属层上涂覆光刻胶，采用灰色调掩膜板对光刻胶进行曝光，形成光刻胶未保留区域、光刻胶部分保留区域和光刻胶完全保留区域，光刻胶部分保留区域对应公共电极的图形，光刻胶完全保留区域对应栅电极、栅线、数据线、源电极和漏电极的图形；

曝光显影之后完全刻蚀掉光刻胶未保留区域的所述金属层和所述第一透明导电层；

去除光刻胶部分保留区域的光刻胶，完全刻蚀掉光刻胶部分保留区域的所述第一透明导电层，形成所述公共电极；

去除光刻胶完全保留区域的光刻胶，形成所述栅电极、栅线、数据线、源电极和漏电极。

2.根据权利要求1所述的阵列基板的制作方法，其特征在于，通过一次构图工艺形成栅电极、栅线、数据线、源电极、漏电极之前，所述制作方法还包括：

提供一衬底基板；

在所述衬底基板上形成缓冲层；

在所述缓冲层上通过一次构图工艺形成源电极接触区、漏电极接触区和有源层；

形成栅绝缘层。

3.根据权利要求2所述的阵列基板的制作方法，其特征在于，所述在所述缓冲层上通过一次构图工艺形成源电极接触区、漏电极接触区和有源层包括：

在所述缓冲层上形成金属氧化物半导体层；

在所述金属氧化物半导体层上涂覆光刻胶，采用灰色调掩膜板对光刻胶进行曝光，形成光刻胶未保留区域、光刻胶部分保留区域和光刻胶完全保留区域，光刻胶部分保留区域对应源电极接触区和漏电极接触区的图形，光刻胶完全保留区域对应有源层的图形；

曝光显影之后完全刻蚀掉光刻胶未保留区域的所述金属氧化物半导体层；

去除光刻胶部分保留区域的光刻胶，对光刻胶部分保留区域的所述金属氧化物半导体层进行等离子体处理，形成所述源电极接触区和漏电极接触区；

去除光刻胶完全保留区域的光刻胶，形成所述有源层。

4.根据权利要求2所述的阵列基板的制作方法，其特征在于，通过一次构图工艺形成栅电极、栅线、数据线、源电极、漏电极之后，所述制作方法还包括：

形成钝化层；

对所述钝化层和所述栅绝缘层进行刻蚀，形成暴露出至少部分所述源电极和至少部分所述源电极接触区的第一半搭接孔，以及暴露出至少部分所述漏电极和至少部分所述漏电极接触区的第二半搭接孔；

沉积第二透明导电层，通过一次构图工艺利用所述第二透明导电层形成第一连接部、第二连接部和像素电极，所述第一连接部通过所述第一半搭接孔连接所述源电极和源电极接触区，所述第二连接部通过所述第二半搭接孔连接所述漏电极和漏电极接触区。

5.一种以权利要求1-4中任一项所述制作方法制作的阵列基板，其特征在于，所述阵列基板的栅电极、栅线、数据线、源电极和漏电极同层同材料设置。

6.根据权利要求5所述的阵列基板，其特征在于，所述阵列基板的公共电极与所述阵列基板的栅电极、栅线、数据线、源电极、漏电极同层设置。

7.根据权利要求5所述的阵列基板，其特征在于，所述阵列基板的有源层为金属氧化物半导体。