[发明专利]封装体的制造方法和通过该方法制造的封装体

权利要求书

1.一种封装体的制造方法，其包括通过将在至少一个上形成有密封材料的一对基板叠合并进行接合而将由所述密封材料围成的密封区域的内部进行气密密封的工序，所述制造方法的特征在于，

所述密封材料由通过将纯度为99.9重量％以上、平均粒径为0.005μm～1.0μm的选自金、银、钯、铂中的一种以上的金属粉末进行烧结而得到的烧结体形成，

构成所述密封材料的所述烧结体的相对密度，相对于构成烧结体的金属粒子的利用铸造、镀覆以相同组成制造的块状体的密度为60％以上，

在基板上形成有至少一个在断面形状中具有比所述密封材料的宽度更窄的宽度且从周围突出的芯材，

将所述一对基板接合时，所述芯材将所述密封材料压缩，

在所述基板的表面上形成有包含金、银、钯、铂、钛、铬、铜、钨、镍或者这些金属的合金中的任一种的块状的金属膜，

进一步在所述芯材的顶面上形成有包含金、银、钯、铂、钛、铬、铜、钨、镍或者这些金属的合金中的任一种的块状的金属膜。

2.如权利要求1所述的封装体的制造方法，其中，密封材料形成在任意一个基板上，芯材形成在未形成所述密封材料的基板上。

3.如权利要求1所述的封装体的制造方法，其中，密封材料形成在任意一个基板上，芯材形成在形成有所述密封材料的所述基板上，所述密封材料包覆所述芯材的至少顶面部分。

4.如权利要求1所述的封装体的制造方法，其中，密封材料形成在两个基板上，芯材形成在形成有所述密封材料的所述基板中的至少任意一个上，所述密封材料包覆所述芯材的至少顶面部分。

5.如权利要求1～权利要求4中任一项所述的封装体的制造方法，其中，在与芯材两侧相邻的区域形成凹部，由此形成断面凸状的芯材。

6.如权利要求1～权利要求4中任一项所述的封装体的制造方法，其中，密封材料断面中的、芯材的宽度的合计(W’)与密封材料的宽度(W)之比(W’/W)为0.05以上且0.95以下。

7.如权利要求5所述的封装体的制造方法，其中，密封材料断面中的、芯材的宽度的合计(W’)与密封材料的宽度(W)之比(W’/W)为0.05以上且0.95以下。

8.如权利要求1～权利要求4中任一项所述的封装体的制造方法，其中，金属膜的厚度为0.01μm以上且5μm以下。

9.如权利要求5所述的封装体的制造方法，其中，金属膜的厚度为0.01μm以上且5μm以下。

10.如权利要求6所述的封装体的制造方法，其中，金属膜的厚度为0.01μm以上且5μm以下。

11.如权利要求7所述的封装体的制造方法，其中，金属膜的厚度为0.01μm以上且5μm以下。