[发明专利]磁性存储器装置有效
申请号: | 201580078022.2 | 申请日: | 2015-07-31 |
公开(公告)号: | CN107534018B | 公开(公告)日: | 2020-06-16 |
发明(设计)人: | 藤森健史 | 申请(专利权)人: | 东芝存储器株式会社 |
主分类号: | H01L23/00 | 分类号: | H01L23/00;G11C5/00;G11C11/15;H01L21/8246;H01L27/105;H01L43/08;H05K9/00 |
代理公司: | 北京律盟知识产权代理有限责任公司 11287 | 代理人: | 杨林勋 |
地址: | 日本*** | 国省代码: | 暂无信息 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 磁性 存储器 装置 | ||
1.一种磁性存储器装置,其包括:
磁性存储器芯片,其具有磁阻元件;
磁性层,其具有彼此间隔开且相互分离的第一及第二部分,所述第一部分覆盖所述磁性存储器芯片的第一主表面,所述第二部分覆盖所述磁性存储器芯片的面向所述第一主表面的第二主表面;
电路板,其上安装有所述磁性层;及
接合线,其在平行于所述第一及第二主表面的第一方向上连接于所述磁性存储器芯片与所述电路板之间,
其中所述第一部分比所述第二部分更靠近所述电路板,
所述第一及第二部分中的每一者在所述第一方向上具有比所述磁性存储器芯片的尺寸大的尺寸,
所述第一及第二部分中的一者在平行于所述第一及第二主表面且正交于所述第一方向的第二方向上覆盖所述磁性存储器芯片的侧表面,且
所述第一及第二部分在所述第二方向上分别具有第一及第二端,且所述第一与第二部分之间的空间在所述第一及第二端中最窄。
2.根据权利要求1所述的装置,其中
所述第二部分覆盖所述磁性存储器芯片的所述侧表面。
3.根据权利要求2所述的装置,其进一步包括:
间隔件,其介于所述磁性存储器芯片与所述第二部分之间。
4.根据权利要求2所述的装置,其进一步包括:
永久磁体,其相邻于所述磁性存储器芯片的所述第一及第二主表面中的一者。
5.根据权利要求4所述的装置,其进一步包括:
间隔件,其介于所述磁性存储器芯片与所述第二部分之间,
其中所述永久磁体被提供于所述第一部分上,且所述磁性存储器芯片被提供于所述永久磁体上。
6.根据权利要求4所述的装置,其进一步包括:
间隔件,其介于所述磁性存储器芯片与所述第二部分之间,
其中所述磁性存储器芯片被提供于所述第一部分上,且所述永久磁体被提供于所述间隔件与所述第二部分之间。
7.根据权利要求4所述的装置,其中
其中所述磁性存储器芯片被提供于所述第一部分上,且所述永久磁体被提供于所述磁性存储器芯片与所述第二部分之间。
8.根据权利要求1所述的装置,其中
所述第一部分覆盖所述磁性存储器芯片的所述侧表面。
9.根据权利要求8所述的装置,其进一步包括:
间隔件,其介于所述磁性存储器芯片与所述第二部分之间。
10.根据权利要求8所述的装置,其进一步包括:
永久磁体,其相邻于所述磁性存储器芯片的所述第一及第二主表面中的一者。
11.根据权利要求10所述的装置,其进一步包括:
间隔件,其介于所述磁性存储器芯片与所述第二部分之间,
其中所述永久磁体被提供于所述第一部分上,且所述磁性存储器芯片被提供于所述永久磁体上。
12.根据权利要求10所述的装置,其进一步包括:
间隔件,其介于所述磁性存储器芯片与所述第二部分之间,
其中所述磁性存储器芯片被提供于所述第一部分上,且所述永久磁体被提供于所述间隔件与所述第二部分之间。
13.根据权利要求10所述的装置,其中
其中所述磁性存储器芯片被提供于所述第一部分上,且所述永久磁体被提供于所述磁性存储器芯片与所述第二部分之间。
14.根据权利要求1所述的装置,其中
所述第一及第二部分未在所述第一方向上覆盖所述磁性存储器芯片的侧表面。
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