[发明专利]压印用光固化性组合物,固化膜的制备方法,光学组件、电路板和电子组件的制造方法有效
申请号: | 201580069607.8 | 申请日: | 2015-12-15 |
公开(公告)号: | CN107112209B | 公开(公告)日: | 2020-05-01 |
发明(设计)人: | 岩下和美;伊藤俊树;饭村晶子;加藤顺;山下敬司 | 申请(专利权)人: | 佳能株式会社 |
主分类号: | H01L21/027 | 分类号: | H01L21/027;B29C59/02;C08F2/50 |
代理公司: | 北京魏启学律师事务所 11398 | 代理人: | 魏启学 |
地址: | 日本东京都大*** | 国省代码: | 暂无信息 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 压印 用光 固化 组合 制备 方法 光学 组件 电路板 电子 制造 | ||
本发明涉及一种在冷凝性气体氛围中的压印用光固化性组合物。所述组合物至少包括聚合性化合物组分(A)和光聚合引发剂组分(B),并且满足要求(1):ECG值大于或等于2.30GPa,其中ECG表示通过使所述压印用光固化性组合物在包含浓度为90体积%以上的冷凝性气体的氛围中在200mJ/cm2曝光量下曝光而制备的光固化膜的折合模量(GPa)。
技术领域
本发明涉及压印用光固化性组合物,固化膜的制造方法,光学组件的制造方法,电路板的制造方法和电子组件的制造方法。
背景技术
对例如半导体器件和微电子机械系统(MEMSs)小型化的要求日趋增长。近来,除光刻技术以外,其中使用模具在配置于如晶片等基板上的抗蚀剂(光固化性组合物)上形成图案,并通过光照射而在基板上形成固化的抗蚀剂图案的微细加工技术(microfabricationtechnique)正引起更多的关注。该技术被称作光压印技术,并且因该技术可在基板上形成纳米量级的细结构,也被称作光纳米压印技术。在光压印中,首先,将抗蚀剂施加至基板上的图案形成区。接着,使抗蚀剂与表面上具有凹凸图案的模具接触。抗蚀剂通过用光照射而固化,然后将模具从固化物上脱离。结果,在基板上形成具有凹凸图案的光固化物。
PTL 1公开了一种压印方法,其中,将抗蚀剂液滴通过喷墨系统离散地配置在基板上。在该方法中,抗蚀剂通过与模具邻接接触而延展,并且渗透至基板与模具之间的间隙中,或渗透至模具的凹部中。因而,间隙或凹部填充有抗蚀剂。然而,已经延展的液滴间的气体可以作为气泡而残留。其中残留气泡的抗蚀剂固化具有生产具有不期望形状的光固化物的问题。
PTL 2公开了一种冷凝性气体的使用,所述冷凝性气体通过由抗蚀剂渗透至基板与模具之间的间隙或模具上的凹部中产生的毛细管压力而冷凝。引入至模具与基板之间的冷凝性气体在施加抗蚀剂后通过冷凝而降低其体积,并且促进残留的气泡消失。在PTL 2中提到的冷凝性气体是三氯氟甲烷(CFCl3)。
NPL 1记载了通过采用1,1,1,3,3-五氟丙烷(CHF2CH2CF3)作为冷凝性气体得到的在填充性能方面的改进。
PTL 1:日本专利特开第2010-114209号公报
PTL 2:日本专利特开第2007-084625公报
NPL 1:日本应用物理期刊(Japanese Journal of Applied Physics),第47卷,第6号,2008,第5151-5155页。
发明内容
然而,已经发现,与不使用任何冷凝性气体的方法相比,如上所述在光压印中使用冷凝性气体容易导致例如图案破坏(pattern destruction)等缺陷。
为解决上述问题而作出了本发明,并且本发明的目的在于提供一种光固化性组合物,其可通过在冷凝性气体氛围中光压印形成固化之后具有基本上没有缺陷的图案的光固化膜。
本发明提供一种在冷凝性气体氛围中的压印用光固化性组合物。所述光固化性组合物至少包括聚合性化合物组分(A)和光聚合引发剂组分(B),并且满足要求(1):
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造