[发明专利]在晶片级封装(WLP)集成器件中实现的高品质因数滤波器有效
| 申请号： | 201580035741.6 | 申请日： | 2015-07-01 |
| 公开（公告）号： | CN106663671B | 公开（公告）日： | 2021-01-22 |
| 发明（设计）人： | J-H·李;Y·K·宋;J·H·永恩;U·M·乔;X·张;R·D·莱恩 | 申请（专利权）人： | 高通股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L23/522 | 分类号： | H01L23/522;H01L23/64 |
| 代理公司： | 上海专利商标事务所有限公司 31100 | 代理人： | 李小芳 |
| 地址： | 美国加利*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 晶片 封装 wlp 集成 器件 实现 品质因数 滤波器 | ||
1.一种集成器件，包括：
电容器；以及
电耦合至所述电容器的电感器，其中所述电感器和所述电容器被配置成作为所述集成器件中用于电信号的滤波器来操作，所述电感器包括：
印刷电路板(PCB)的第一金属层；
耦合至所述PCB的一组焊球；以及
在管芯中的第二金属层，其中所述一组焊球位于所述第一金属层与所述第二金属层之间；
其中所述电感器不位于封装基板中。
2.如权利要求1所述的集成器件，其特征在于，所述电容器位于所述管芯中。
3.如权利要求1所述的集成器件，其特征在于，所述电容器是至少金属-绝缘体-金属(MIM)电容器、和/或金属上金属(MOM)电容器中的一者。
4.如权利要求1所述的集成器件，其特征在于，所述电容器是所述PCB上的表面安装无源器件。
5.如权利要求1所述的集成器件，其特征在于，所述第一金属层是所述PCB上的迹线，并且所述迹线由大于所述管芯中的所述第二金属层的宽度的宽度来表征。
6.如权利要求1所述的集成器件，其特征在于，所述第二金属层是所述管芯的凸块下金属化(UBM)层。
7.如权利要求1所述的集成器件，其特征在于，所述电感器进一步包括在所述管芯中的耦合至所述第二金属层的第三金属层。
8.如权利要求7所述的集成器件，其特征在于，所述第二金属层是所述管芯的凸块下金属化(UBM)层，并且所述第三金属层是所述管芯的重分布层。
9.如权利要求1所述的集成器件，其特征在于，所述集成器件被纳入到以下至少一者中：音乐播放器、视频播放器、娱乐单元、导航设备、通信设备、移动设备、个人数字助理、固定位置终端、平板计算机、和/或膝上型计算机。
10.如权利要求1所述的集成器件，其特征在于，所述集成器件被纳入到以下至少一者中：移动电话、和/或智能电话。
11.一种集成器件装置，包括：
配置成储存电能量的无源电容性装置；以及
电耦合至所述无源电容性装置的电感器，其中所述电感器和所述无源电容性装置被配置成作为所述集成器件装置中用于电信号的滤波器来操作，所述电感器包括：
印刷电路板(PCB)的第一金属层；
耦合至所述PCB的一组焊球；以及
在管芯中的第二金属层，其中所述一组焊球位于所述第一金属层与所述第二金属层之间；
其中所述电感器不位于封装基板中。
12.如权利要求11所述的集成器件装置，其特征在于，所述无源电容性装置位于所述管芯中。
13.如权利要求11所述的集成器件装置，其特征在于，所述无源电容性装置是至少金属-绝缘体-金属(MIM)电容器、和/或金属上金属(MOM)电容器中的一者。
14.如权利要求11所述的集成器件装置，其特征在于，所述无源电容性装置是所述PCB上的表面安装无源器件。
15.如权利要求11所述的集成器件装置，其特征在于，所述第一金属层是所述PCB上的迹线，并且所述迹线由大于所述管芯中的所述第二金属层的宽度的宽度来表征。
16.如权利要求11所述的集成器件装置，其特征在于，所述第二金属层是所述管芯的凸块下金属化(UBM)层。
17.如权利要求11所述的集成器件装置，其特征在于，所述电感器进一步包括在所述管芯中的耦合至所述第二金属层的第三金属层。
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