[实用新型]一种存储芯片

说明书

技术领域

本实用新型属于移动存储技术领域，尤其涉及一种存储芯片。

背景技术

芯片一般是指集成电路的载体，也是集成电路经过设计、制造、封装、测试后的结果，通常是一个可以立即使用的独立的整体。芯片也有它独特的地方，广义上，只要是使用微细加工手段制造出来的半导体片子，都可以叫做芯片，里面并不一定有电路。比如半导体光源芯片；比如机械芯片，如MEMS陀螺仪；或者生物芯片如DNA芯片。在通讯与信息技术中，当把范围局限到硅集成电路时，芯片和集成电路的交集就是在“硅晶片上的电路”上。

众所周知，随着集成化电路的发展，现有技术中的存储芯片的尺寸越来越小，为了便于后续裂片工艺中芯片按既定位置破裂，芯片厚度需要通过研磨降低。厚度降低后芯片容易出现破片问题，降低了芯片的良品率，大大降低了芯片的使用寿命。

实用新型内容

本实用新型为了克服现有技术中的不足，提供了一种存储芯片，通过在存储芯片的一侧设置有纤维薄膜层和黏胶层，能够防止研磨过程中芯片受损破裂，提高良品率和芯片的使用寿命。

本实用新型是通过以下技术方案实现：

一种存储芯片，包括研磨制得的存储芯片本体，在所述存储芯片本体的正面焊接有电子元器件、引脚，所述存储芯片本体的背面设置有黏胶层，在所述黏胶层的下方设置有纤维薄膜层，且所述纤维薄膜层的外表面上分布有规则的凹坑，所述凹坑分布面积占纤维薄膜层的表面积的40%-60%。

进一步地，所述存储芯片本体研磨后的厚度为100μm-120μm，所述纤维薄膜层的厚度为90μm-100μm。

进一步地，所述凹坑的形状为圆形或正多边形，凹坑的深度为35μm-50μm。

进一步地，所述黏胶层的厚度为40μm-50μm。

进一步地，所述存储芯片本体、黏胶层以及纤维薄膜层的长度和宽度相同。

在加工时，首先使用研磨机将芯片研磨至厚度为120μm，并进行抛光，然后擦拭存储芯片本体的背面，以免影响黏胶层的粘性，然后将存储芯片本体的正面置于陶瓷加热板表面上进行加热，然后将黏胶层粘接在存储芯片本体的背面，然后将纤维薄膜层粘接在黏胶层的下表面，纤维薄膜层与黏胶层之间不能有气泡的存在，最后在纤维薄膜层的外表面加工有规则的凹坑。

与现有的技术相比，本实用新型的有益效果是：本实用新型结构简单、设计合理，通过设置有纤维薄膜层和黏胶层，能够防止研磨过程中芯片受损破裂，提高良品率和芯片的使用寿命，通过在纤维薄膜层的外表面加工有规则的凹坑，增大摩擦力，能够防止纤维薄膜层在安装时发生移动，影响存储芯片的安装精度。

附图说明

图1为本实用新型的结构示意图；

图2为本实用新型纤维薄膜层的结构示意图。

具体实施方式

为了使本实用新型的目的、技术方案及优点更加清楚明白，以下结合附图及实施例，对本实用新型进行进一步详细说明。应当理解，此处所描述的具体实施例仅仅用以解释本实用新型，并不用于限定本实用新型。

请参阅图1和图2，图1为本实用新型的结构示意图，图2为本实用新型纤维薄膜层的结构示意图。

所述一种存储芯片，包括研磨制得的存储芯片本体1，在所述存储芯片本体1的正面焊接有电子元器件2、引脚3，所述存储芯片本体1的背面设置有黏胶层4，在所述黏胶层4的下方设置有纤维薄膜层5，所述存储芯片本体1、黏胶层4以及纤维薄膜层5的长度和宽度相同。所述存储芯片本体1研磨后的厚度为100μm-120μm，所述黏胶层4的厚度为40μm-50μm，所述纤维薄膜层5的厚度为90μm-100μm，所述凹坑6的形状为圆形或正多边形，凹坑6的深度为35μm-50μm。通过设置有纤维薄膜层和黏胶层，能够防止研磨过程中芯片受损破裂，提高良品率和芯片的使用寿命。

所述纤维薄膜层5的外表面上分布有规则的凹坑6，所述凹坑6分布面积占纤维薄膜层5的表面积的40%-60%。通过在纤维薄膜层5的外表面加工有规则的凹坑6，增大摩擦力，能够防止纤维薄膜层5在安装时发生移动，影响存储芯片的安装精度。

以上所述仅为本实用新型的较佳实施例而已，并不用以限制本实用新型，凡在本实用新型的精神和原则之内所作的任何修改、等同替换和改进等，均应包含在本实用新型的保护范围之内。