[实用新型]金属层-绝缘层-金属层电容器有效
| 申请号： | 201520792014.1 | 申请日： | 2015-10-13 |
| 公开（公告）号： | CN205177824U | 公开（公告）日： | 2016-04-20 |
| 发明（设计）人： | 陈俭;张智侃 | 申请（专利权）人： | 格科微电子(上海)有限公司 |
| 主分类号： | H01L23/522 | 分类号： | H01L23/522;H01L21/02 |
| 代理公司： | 暂无信息 | 代理人： | 暂无信息 |
| 地址： | 201203 上海市*** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 金属 绝缘 电容器 | ||
1.一种金属层-绝缘层-金属层电容器，适于应用于集成电路的片内电容，其特征在于，包括：
第一金属层，于第一金属层上定义有非电容区域、电容区域；
于电容区域中的第一金属层表面上设置的若干围堰侧墙，所述围堰侧墙包括位于底部的第一介质层及位于第一介质层上的第一阻挡层，所述围堰侧墙对应有凹槽；
于围堰侧墙和凹槽表面依次设置的电容下极板、电容介质层、电容上极板；
于电容上极板上设置的导电塞层；
于导电塞层上设置的第二金属层。
2.如权利要求1所述的金属层-绝缘层-金属层电容器，其特征在于，所述围堰侧墙中，所述第一阻挡层高度为50nm-5μm，所述第一介质层高度为50nm-5μm。
3.如权利要求1所述的金属层-绝缘层-金属层电容器，其特征在于，所述第一介质层和第一金属层之间设置有第二阻挡层。
4.如权利要求1所述的金属层-绝缘层-金属层电容器，其特征在于，所述电容介质层的边缘延伸越过电容下极板的边缘以电性隔离电容上极板和电容下极板。
5.如权利要求1所述的金属层-绝缘层-金属层电容器，其特征在于，所述凹槽的截面形状为三角形、矩形、多边形、圆形、椭圆形中的任意一种或多种组合。
6.如权利要求1所述的金属层-绝缘层-金属层电容器，其特征在于，所述第一金属层和所述第二金属层为非电容区域中相邻的金属层或者不相邻的金属层。
7.如权利要求1所述的金属层-绝缘层-金属层电容器，其特征在于，所述导电塞层与非电容区域表面的介质层齐平，所述第二金属层设置于所述导电塞层与所述非电容区域表面的介质层上。
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