[实用新型]具有封装胶体支撑的电路重新分布层结构

说明书

技术领域

本实用新型涉及一种芯片封装用的封装基材(packagesubstrate)，特别是一种具有封装胶体支撑的电路重新分布层(redistributionlayer,RDL)结构，用来作为芯片封装用的薄膜基材(thinfilmsubstrate)。

背景技术

图1A显示现有技术中常见的封装基材，其系美国专利US2014/0102777A1所揭露的一个芯片封装；具有一个埋入式硅中介层(siliconinterposer)20。硅中介层20具有四个侧边206，封装胶体22包裹所述之硅中介层20的四个侧边206。复数个贯通金属(viametal)200贯通所述之硅中介层20，绝缘层(insulationliner)201设置于贯通孔200与硅中介层20之间，作为电性绝缘用。上层电路重新分布层21设置于硅中介层20上方，上层电路重新分布层21具有复数个金属焊垫210于上方裸露，金属焊垫210系提供芯片(图中未表示)安置用。电路增层(circuitbuilt-uplayer)25设置于硅中介层20的下方，电路增层25具有复数个金属焊垫220设置于下方。复数个焊锡球24设置于金属焊垫220下方，每一个焊锡球24设置于一个对应的金属焊垫220下表面。

图1B显示图1A的上下颠倒的图示，图1B的上下颠倒的图示，系用以方便比对于本实用新型的图示。图1B显示焊锡球24设置于封装基材上方，提供封装基材电性耦合至母板(图中未表示)用。金属焊垫210系提供芯片(图中未表示)安置用。

现有技术采用金属柱设置于硅中介层20(siliconinterposer),硅中介层20周边包裹着封装胶体22；这两种不同材料的接口由于热膨胀系数(CTE)的不同，容易产生裂痕，而降低产品良率与降低产品可靠度。

实用新型内容

针对现有技术的上述两种材料间容易产生裂痕的不足，根据本实用新型的实施例，希望提供一种可以降低芯片封装的成本、且能提高芯片封装可靠度的封装基材----具有封装胶体支撑的电路重新分布层(redistributionlayer,RDL)结构，用来作为芯片封装用的薄膜基材(thinfilmsubstrate)。

根据实施例，本实用新型提供的一种具有封装胶体支撑的电路重新分布层结构，用以作为芯片封装用基材，该电路重新分布层结构包含封装胶体、复数个金属柱和下层电路重新分布层，其创新点在于，复数个金属柱中，每一根金属柱具有一个底端向下凸出于封装胶体的下表面；下层电路重新分布层设置于封装胶体的下方，具有复数个第一下层金属焊垫以及复数个第一上层金属焊垫；第一下层金属焊垫的密度高于第一上层金属焊垫的密度；每一根金属柱的下端电性耦合至对应的一个第一上层金属焊垫。

根据实施例，本实用新型提供的另一种具有封装胶体支撑的电路重新分布层结构，用以作为芯片封装用基材，该电路重新分布层结构包含封装胶体、中心凹槽、复数个金属柱和下层电路重新分布层，其创新点在于，中心凹槽由封装胶体围绕形成凹槽；复数个金属柱中，每一根金属柱具有一个底端向下凸出于封装胶体的下表面；下层电路重新分布层具有复数个下层金属焊垫以及复数个上层金属焊垫；下层金属焊垫的密度高于上层金属焊垫的密度；每一条金属柱的底端分别电性耦合至一个对应的上层金属焊垫；位于中心凹槽的上层金属焊垫用来提供被动组件安置用。

根据实施例，本实用新型提供的再一种具有封装胶体支撑的电路重新分布层结构，用以作为芯片封装用基材，该电路重新分布层结构包含封装胶体、复数个金属柱和下层电路重新分布层，其创新点在于，复数个金属柱中，每一根金属柱具有一个底端，凸出于封装胶体的下表面；下层电路重新分布层设置于封装胶体的下方，具有复数个下层金属焊垫以及复数个上层金属焊垫；下层金属焊垫的密度低于上层金属焊垫的密度；每一条金属柱的底端分别电性耦合至一个对应的上层金属焊垫。

相对于现有技术，本实用新型采用单一封装胶体封装金属柱，以克服现有技术含有金属柱的硅中介层(siliconinterposer)埋设于封装胶体中的缺点，可以提高产品良率并提高产品可靠度。

附图说明

图1A～1B现有技术中常见的封装基材的结构示意图。

图2A～2L以及3A～3C是本实用新型具有封装胶体支撑的电路重新分布层结构的制程图。

图3D是本实用新型第一实施例的结构示意图。

图3E是本实用新型第二实施例的结构示意图。

图3F是至少一片芯片安置于图3D第一实施例下方的结构示意图。