[实用新型]一种高产能半导体薄膜沉积设备有效
| 申请号： | 201520555722.3 | 申请日： | 2015-07-29 |
| 公开（公告）号： | CN204927241U | 公开（公告）日： | 2015-12-30 |
| 发明（设计）人： | 刘忆军;续震;王燚 | 申请（专利权）人： | 沈阳拓荆科技有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/20 | 分类号： | H01L21/20;H01L21/677 |
| 代理公司： | 沈阳维特专利商标事务所(普通合伙) 21229 | 代理人： | 李绪岩 |
| 地址： | 110179 辽宁省*** | 国省代码： | 辽宁;21 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 一种 产能 半导体 薄膜 沉积 设备 | ||
技术领域
本实用新型涉及一种沉积设备，尤其是一种高产能半导体薄膜沉积设备，主要应用于半导体设备。
背景技术
随着半导体技术的发展，需要提高设备工作效率。目前反应腔与储存腔、传片腔单一循环进行工艺，设备的等待时间长。
实用新型内容
针对上述现有技术的不足，本实用新型提供了一种高产能半导体薄膜沉积设备。
为实现上述目的，本实用新型采用的技术方案是：一种高产能半导体薄膜沉积设备，包括前置设备(1)、储存腔(2)、传片腔(3)及反应腔(4)。前置设备(1)通过门阀与储存腔(2)连接，晶圆升降机构处于储存腔(2)内。储存腔(2)与传片腔(3)连接。传片腔(3)与三个反应腔(4)连接。储存腔(2)内安装晶圆升降机构。传片腔(3)内安装双层机械手。
本实用新型的有益效果及特点：结构紧凑合理，前置设备(1)通过门阀与储存腔(2)连接，传片腔(3)与三个反应腔(4)连接。储存腔内安装晶圆升降机构。传片腔(3)安装双层机械手，可以满足使用要求。
附图说明
图1是本实用新型的结构示意图。
图2是图1的A-A剖视图。
具体实施方式
下面将结合本实用新型实施例中的附图，对本实用新型实施例中的技术方案进行清晰、完整地描述，显然，所描述的实施例仅仅是本实用新型一部分实施例，而不是全部的实施例。基于本实用新型中的实施例，本领域普通技术人员在没有做出创造性劳动前提下所获得的所有其他实施例，都属于本实用新型保护的范围。
如图1和图2所示：一种高产能半导体薄膜沉积设备，包括前置设备1、储存腔2、传片腔3及反应腔4。前置设备1通过门阀与储存腔2连接，晶圆升降机构6处于储存腔2内。储存腔2与传片腔3连接。传片腔3与三个反应腔4连接。储存腔2内安装晶圆升降机构6。传片腔3内安装双层机械手5。
当反应腔进行工艺时，传片可以继续进行传片，以满足使用要求。
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H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
