[实用新型]过滤装置、过滤系统及半导体机台有效
申请号: | 201520463417.1 | 申请日: | 2015-07-01 |
公开(公告)号: | CN204696089U | 公开(公告)日: | 2015-10-07 |
发明(设计)人: | 吴良辉 | 申请(专利权)人: | 武汉新芯集成电路制造有限公司 |
主分类号: | H01L21/67 | 分类号: | H01L21/67;B01D46/10;B01D5/00 |
代理公司: | 上海思微知识产权代理事务所(普通合伙) 31237 | 代理人: | 屈蘅;李时云 |
地址: | 430205 湖北*** | 国省代码: | 湖北;42 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 过滤 装置 系统 半导体 机台 | ||
技术领域
本实用新型涉及集成电路制造领域,尤其是一种过滤装置、过滤系统及半导体机台。
背景技术
晶圆的各项制程需要在机台上的反应腔内完成,所述反应腔与一干泵连接,所述反应腔中的废气中含有大量的液态或固态的制程副产物,这些液态或固态的制程副产物会随着废气进入到所述干泵中,导致所述干泵卡死,每年约有25%的所述干泵因为液态或固态的制程副产物卡死,造成所述反应腔内的晶圆报废,降低了产品的良率,增加了成本。
实用新型内容
本实用新型的目的在于提供一种过滤装置、过滤系统及半导体机台,已解决现有技术中泵因制程副产物卡死而失效的问题。
为了达到上述目的,本实用新型提供了一种过滤装置、过滤系统及半导体机台,其中,所述过滤装置包括:主体结构,所述主体结构的一端设置有进气口,另一端设置有出气口;
冷凝柱,所述冷凝柱位于所述主体结构内;
过滤网,所述过滤网位于所述冷凝柱和所述主体结构的内壁之间,所述过滤网的一端与所述出气口连接。
优选的,在上述的过滤装置中,所述过滤装置还包括一冷凝管,所述冷凝管沿着所述冷凝柱的外壁设置。
优选的,在上述的过滤装置中,所述冷凝管设置有一进水端和一出水端,所述进水端和所述出水端位于所述主体结构的外部。
优选的,在上述的过滤装置中,所述冷凝管呈U型装套于所述冷凝柱的外壁上。
优选的,在上述的过滤装置中,所述冷凝管呈螺旋状沿着所述冷凝柱的侧壁设置。
优选的,在上述的过滤装置中,所述进气口位于所述主体结构一端的中心,所述出气口位于所述主体结构的另一端的中心。
优选的,在上述的过滤装置中,所述主体结构呈柱体形。
优选的,在上述的过滤装置中,所述冷凝柱的一端与所述进气口正对,另一端与所述出气口正对。
优选的,在上述的过滤装置中,所述进气口的横截面呈圆形,所述出气口的横截面呈圆形。
优选的,在上述的过滤装置中,所述进气口的横截面呈多边形,所述出气口的横截面呈多边形。
本实用新型又提供了一种过滤系统,包括如上所述的过滤装置,反应腔以及一泵,所述反应腔的出气口与所述过滤装置的进气口连接,所述过滤装置的出气口与所述泵的进气口连接。
本实用新型更提供了一种半导体机台,包括如上所述的过滤系统。
在本实用新型提供的过滤装置、过滤系统以及半导体机台中,反应腔中的废气从主体结构的进气口进入到主体结构中,废气中的粉尘被过滤网过滤掉,而废气中液态副产物经过冷凝柱的冷凝沉积在所述冷凝柱上,降低了废气中液态以及固态制程副产物的浓度,从而使得进入泵中的气体更加清洁,降低了所述泵因液态或者固态制程副产物卡死而失效的风险,提高了效率和产品良率,降低了成本。
附图说明
图1为本实用新型实施例中过滤系统的结构示意图;
图2为本实用新型实施例中过滤装置的剖视图;
图中;101-反应腔;102-过滤装置;103-泵;
201-主体结构;202-主体结构的进气口;203-主体结构的出气口;204-冷凝柱;205-过滤网;206-冷凝管;207-进水端;208-出水端。
具体实施方式
下面将结合示意图对本实用新型的具体实施方式进行详细的描述。根据下列描述并结合权利要求书,本实用新型的优点和特征将更清楚。需说明的是,附图均采用非常简化的形式且均使用非精准的比率,仅用以方便、明晰地辅助说明本实用新型实施例的目的。
本实用新型实施例提供了一种过滤系统,如图1所示,包括:反应腔101、一泵103以及一过滤装置102,所述反应腔101的出气口与所述过滤装置102的进气口连接,所述反应腔101中含有制程副产物的混合气体从所述反应腔101的出气口进入到所述过滤装置102中,经过所述过滤装置102的过滤,将其中大部分的制程副产物过滤掉,然后大大减少制程副产物含量的气体从所述过滤装置102的出气口进入到所述泵103的进气口,减少进入所述泵103的气体中制程副产物的含量,从而减小制程副产物在所述泵103中的沉积,降低所述泵103因制程副产物的沉积而卡死的风险,从而降低所述泵103因制程副产物沉积而失效的风险,提高生产效率,降低生产成本。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造