[实用新型]IGBT芯片散热包围模块有效
| 申请号： | 201520462652.7 | 申请日： | 2015-07-01 |
| 公开（公告）号： | CN204680661U | 公开（公告）日： | 2015-09-30 |
| 发明（设计）人： | 王建全;彭彪;张干;王作义;崔永明 | 申请（专利权）人： | 四川广义微电子股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L23/367 | 分类号： | H01L23/367;H01L23/42 |
| 代理公司： | 成都行之专利代理事务所(普通合伙) 51220 | 代理人： | 李朝虎 |
| 地址： | 629000 四川省遂宁市经济技术开发区内*** | 国省代码： | 四川;51 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | igbt 芯片 散热 包围 模块 | ||
1.IGBT芯片散热包围模块，其特征在于：包括IGBT模块，IGBT模块的底部通过焊接层B（27）连接在导热硅脂基板（28）上，导热硅脂基板（28）远离IGBT模块的一侧安装在底部散热器（29）上；还包括塑封体（1），塑封体为两端开口的管状体，IGBT模块设置在塑封体的空腔内，导热硅脂基板（28）封闭塑封体的下端开口，还包括导热陶瓷基板（11），导热陶瓷基板（11）封闭塑封体的上端开口，还包括包围在IGBT模块四周填充在塑封体空腔内的导热硅胶填充体（3），导热陶瓷基板（11）内嵌入有铝板（12），铝板（12）设置有若干铝柱（13），铝柱（13）延伸至导热硅胶填充体（3）内。
2.根据权利要求1所述的IGBT芯片散热包围模块，其特征在于：所述IGBT模块包括从上到下依次层叠的IGBT芯片（2）、焊接层A（21）、铜板A（23）、陶瓷基片（25）、铜板C（26），铜板C（26）通过焊接层B（27）连接在导热硅脂基板（28）上，还包括设置在陶瓷基片（25）上的铜板B（24），铜板B（24）通过绑定线（22）与IGBT芯片（2）连接。
3.根据权利要求1所述的IGBT芯片散热包围模块，其特征在于：导热陶瓷基板（11）的厚度为0.5 cm至1cm。
4.根据权利要求1所述的IGBT芯片散热包围模块，其特征在于：导热陶瓷基板（11）为BeO材料制成的陶瓷板或为SiC材料制成的陶瓷板。
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