[实用新型]晶片级芯片封装结构

权利要求书

1.一种晶片级芯片封装结构，包括一基底和一衬底(1)，所述基底(2)具有第一表面(200a)及与其相对的第二表面(200b)，其特征在于：所述基底的第一表面与所述衬底之间通过一层厚度均匀的连接层(3)键合在一起。

2.根据权利要求1所述的晶片级芯片封装结构，其特征在于，所述芯片为微机电系统芯片或运算处理芯片。

3.根据权利要求1所述的晶片级芯片封装结构，其特征在于，所述芯片为影像感测芯片，所述连接层的材质为具有高通光率的高分子材料。

4.根据权利要求3所述的晶片级芯片封装结构，其特征在于，所述第一表面具有元件区、介质层(202)和位于所述介质层内并电连接所述元件区的若干导电焊垫(201)，所述导电焊垫的正面接触所述连接层，所述导电焊垫的背面通过一金属布线层(6)将其电性引至所述第二表面。

5.根据权利要求4所述的晶片级芯片封装结构，其特征在于，所述导电焊垫与所述连接层之间设有一层固化金属层(4)。

6.根据权利要求5所述的晶片级芯片封装结构，其特征在于，所述第二表面上形成有暴露所述导电焊垫的第一开口(10)，所述第一开口内及所述第二表面上形成有绝缘层(5)、所述绝缘层上形成有暴露所述导电焊垫的第二开口(8)，所述第二开口内及所述绝缘层上形成有所述金属布线层，所述金属布线层上形成有保护层(7)，所述保护层上形成有用于所述金属布线层的电性引出的焊球(9)。

7.根据权利要求6所述的晶片级芯片封装结构，其特征在于，所述第二开口的底部停留于所述导电焊垫的正面或穿透所述导电焊垫但不超出所述固化金属层。

8.根据权利要求5所述的晶片级芯片封装结构，其特征在于，所述固化金属层的材质可以为铝、镍、金、铜、钛或其合金。

9.根据权利要求5所述的晶片级芯片封装结构，其特征在于，所述固化金属层的厚度为1um～30um。

10.根据权利要求5所述的晶片级芯片封装结构，其特征在于，所述连接层的厚度为2um～50um。