[实用新型]一种贴片IC封装半包塑封结构有效

专利信息
申请号: 201520037079.5 申请日: 2015-01-20
公开(公告)号: CN204332945U 公开(公告)日: 2015-05-13
发明(设计)人: 廖红伟;朱辉兵 申请(专利权)人: 武汉芯茂半导体科技有限公司
主分类号: H01L23/495 分类号: H01L23/495
代理公司: 上海市华诚律师事务所 31210 代理人: 章登亚
地址: 430000 湖北省武汉市东湖开发区高新四路40号葛*** 国省代码: 湖北;42
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摘要:
搜索关键词: 一种 ic 封装 塑封 结构
【说明书】:

技术领域

    本实用新型涉及电子元器件封装技术领域,特别是涉及一种贴片IC封装半包塑封结构。

背景技术

   目前IC封装装片工艺普遍采用塑封全包封进行贴片IC封装塑封的封装,用塑封料将芯片,引线框架,银胶全部包封起来,这种方法制作的贴片IC封装塑封制作的产品存在以下缺点:

    (1)可靠性较低,导致封装后使用时间短,容易损坏;

(2)导热性差,发热后不能及时释放,导致电路烧坏而失效。

实用新型内容

    本实用新型所要解决的技术问题在于针对上述现有技术中存在的问题而设计的一种贴片IC封装半包塑封结构。塑封树脂包住芯片以及固定芯片侧的部分引线框架的上部,引线框架的其余部分外露,起到导热传热的作用。本实用新型可以解决封装后可靠性低,使用时间短,容易损坏;导热性差,发热后不能及时释放,导致电路烧坏而失效的问题。

 本实用新型所要求解决的技术问题可以通过以下技术方案来实现:

    一种贴片IC封装半包塑封结构,包括引线框架和芯片,所述芯片固定在引线框架没有散热片的一端,还包括塑封树脂,所述塑封树脂包住芯片以及固定芯片侧的部分引线框架的上部,所述引线框架的其余部分外露。

     所述引线框架的打弯深度(Downset)为0.25-0.35mm。

由于采用了如上技术方案,本实用新型具有如下特点:

    封装后可靠性高,使用时间长;解决了以前全包方式的IC封装片导热性差,发热后不能及时释放,导致电路烧坏而失效的问题。

附图说明

图1为本实用新型结构示意图。

具体实施方式

为了使本实用新型实现的技术手段、创作特征、达成目的与功效易于明白了解,下面结合具体图示,进一步阐述本实用新型。

如图1所示,本实用新型包括芯片1、引线框架2和塑封树脂3,芯片1通过银胶4固定在引线框架2的一端,塑封树脂3包在芯片1以及固定芯片1侧的部分引线框架2外,引线框架2的其余部分路在外面。

本实用新型的制作方式如下:1.设计散热片比较大的引线框架2;2.将引线框架2的打弯深度(Downset)改为0.25-0.35mm,使引线框架2的一端宽于其另一端即可。将设计好的引线框架2与相配套的模具放在塑封压机上进行注塑;由于特殊的设计使引线框架的背面的散热片不能粘上塑封树脂3,使散热片外漏,从而实现新型IC塑封封装。

以上显示和描述了本实用新型的基本原理、主要特征和本实用新型的优点。本行业的技术人员应该了解,本实用新型不受上述实施例的限制,上述实施例和说明书中描述的只是说明本实用新型的原理,在不脱离本实用新型精神和范围的前提下本实用新型还会有各种变化和改进,这些变化和改进都落入要求保护的本实用新型范围内。本实用新型要求保护范围由所附的权利要求书及其等同物界定。

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