[发明专利]基板处理系统有效
| 申请号: | 201510809733.4 | 申请日: | 2015-11-20 |
| 公开(公告)号: | CN105632995B | 公开(公告)日: | 2019-11-01 |
| 发明(设计)人: | 胁山辉史;伊藤规宏;东岛治郎;枇杷聪 | 申请(专利权)人: | 东京毅力科创株式会社 |
| 主分类号: | H01L21/687 | 分类号: | H01L21/687;H01L21/67 |
| 代理公司: | 北京林达刘知识产权代理事务所(普通合伙) 11277 | 代理人: | 刘新宇;张会华 |
| 地址: | 日本*** | 国省代码: | 日本;JP |
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| 摘要: | |||
| 搜索关键词: | 处理 系统 | ||
本发明提供一种抑制被供给到基板上之后的处理液附着于干燥后的基板而防止污损基板的基板处理系统。基板处理系统用于处理基板,其包括:保持板,其以绕铅垂轴线旋转自如的方式设置;基板保持构件,其设于保持板,用于保持基板;旋转驱动部,其用于使由基板保持构件保持的基板向预先确定的方向旋转;以及处理流体供给部,其用于向由基板保持构件保持的基板供给处理液,基板保持构件具有设于与基板相对的位置的第1侧面部以及与第1侧面部相邻的第2侧面部和第3侧面部,第1侧面部具有用于把持基板的端面的把持部,在第2侧面部与第1侧面部之间形成有尖端部,第2侧面部具有用于将供给到基板上之后的处理液向基板的下方引导的液流引导部。
技术领域
本发明涉及一种基板处理系统。
背景技术
以往,公知有一种通过对半导体晶圆、玻璃基板等基板供给处理液来对基板进行处理的基板处理系统。例如,在专利文献1中,公开了如下一种基板处理系统,其包括旋转台和附设于旋转台的、用于把持基板的外侧的基板保持构件,该基板处理系统对基板的表面供给药液、纯水等处理液。
专利文献1:日本特开2011-071477号公报
发明内容
但是,在以往的基板处理系统中,当供给到旋转的基板上的处理液在离心力的作用下被向基板外侧甩出时,该处理液会与基板保持构件相碰撞而向基板的上方飞散。飞散到基板的上方的处理液有可能附着于干燥后的基板而污损基板。
为了解决所述问题,提供一种基板处理系统,其用于处理基板,其特征在于,该基板处理系统包括:保持板,其以绕铅垂轴线旋转自如的方式设置;基板保持构件,其设于所述保持板,用于保持所述基板;旋转驱动部,其用于使由所述基板保持构件保持的基板向预先确定的方向旋转;以及处理流体供给部,其用于向由所述基板保持构件保持的基板供给处理液,所述基板保持构件具有设于与基板相对的位置的第1侧面部以及与所述第1侧面部相邻的第2侧面部和第3侧面部,所述第1侧面部具有用于把持基板的端面的把持部,所述第2侧面部具有液流引导部,该液流引导部在所述第2侧面部与所述第1侧面部之间形成有尖端部,并用于将供给到基板上之后的处理液向基板的下方引导。
能够抑制供给到基板上之后的处理液附着于干燥后的基板而防止基板污损。
附图说明
图1是表示本实施方式的基板处理系统的概略结构的图。
图2是表示本实施方式的处理单元的概略结构的图。
图3是表示本发明的处理单元的结构的纵剖视图。
图4是表示本发明的基板保持部的详细结构的立体图。
图5是表示被液流引导部引导的处理液的流动的立体图。
图6是表示另一基板保持部的详细结构的立体图。
具体实施方式
图1是表示本实施方式的基板处理系统的概略结构的图。以下,为了使位置关系清楚,对互相正交的X轴、Y轴及Z轴进行规定,将Z轴正方向设为铅垂朝上方向。
如图1所示,基板处理系统1包括输入输出站2和处理站3。输入输出站2和处理站3相邻地设置。
输入输出站2包括承载件载置部11和输送部12。在承载件载置部11上载置有多个承载件C,该多个承载件C用于将多张基板、在本实施方式中为半导体晶圆(以下称作晶圆W)以水平状态收纳。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造





