[发明专利]基板处理系统有效
| 申请号: | 201510809733.4 | 申请日: | 2015-11-20 |
| 公开(公告)号: | CN105632995B | 公开(公告)日: | 2019-11-01 |
| 发明(设计)人: | 胁山辉史;伊藤规宏;东岛治郎;枇杷聪 | 申请(专利权)人: | 东京毅力科创株式会社 |
| 主分类号: | H01L21/687 | 分类号: | H01L21/687;H01L21/67 |
| 代理公司: | 北京林达刘知识产权代理事务所(普通合伙) 11277 | 代理人: | 刘新宇;张会华 |
| 地址: | 日本*** | 国省代码: | 日本;JP |
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| 摘要: | |||
| 搜索关键词: | 处理 系统 | ||
1.一种基板处理系统,其用于处理基板,其特征在于,
该基板处理系统包括:
保持板,其以绕铅垂轴线旋转自如的方式设置;
基板保持构件,其设于所述保持板,用于保持所述基板;
旋转驱动部,其用于使由所述基板保持构件保持的基板向预先确定的方向旋转;以及
处理流体供给部,其用于向由所述基板保持构件保持的基板供给处理液,
所述基板保持构件具有设于与基板相对的位置的第1侧面部以及与所述第1侧面部相邻的第2侧面部和第3侧面部,
所述第1侧面部具有用于把持基板的端面的把持部,
所述第2侧面部具有液流引导部,该液流引导部在所述第2侧面部与所述第1侧面部之间形成有尖端部,并用于将供给到基板上之后的处理液沿所述第2侧面部向基板的下方引导,
所述液流引导部自所述第2侧面部的表面突出,所述液流引导部的下表面的靠近所述第1侧面部的一侧的部分配置于比基板靠上方的位置,所述液流引导部的下表面的远离所述第1侧面部的一侧的部分配置于比基板靠下方的位置。
2.根据权利要求1所述的基板处理系统,其特征在于,
所述尖端部为锐角。
3.根据权利要求1或2所述的基板处理系统,其特征在于,
所述把持部自第1侧面部的表面突出,且所述把持部的宽度窄于第1侧面部的宽度。
4.根据权利要求1或2所述的基板处理系统,其特征在于,
所述把持部呈凹状形成于第1侧面部的表面。
5.根据权利要求4所述的基板处理系统,其特征在于,
所述把持部的凹状的弯曲部分与所述基板的端缘相接触而把持所述基板。
6.根据权利要求1或2所述的基板处理系统,其特征在于,
所述基板保持构件包括:
第1主体部,其为柱状且俯视为大致四边形;以及
第2主体部,其为柱状且俯视为大致三角形,
所述第2主体部具有所述第1侧面部、所述第2侧面部以及所述第3侧面部,所述第1侧面部和所述第3侧面部均与第1主体部的侧面连续地形成,具有所述液流引导部的第2侧面部沿着所述第1主体部的对角线形成。
7.根据权利要求1或2所述的基板处理系统,其特征在于,
在所述基板保持构件中,沿着所述基板的旋转方向隔开间隔地设有多个用于保持所述基板的爪部,在至少任意一个爪部上形成有所述第1侧面部、所述第2侧面部以及所述第3侧面部。
8.根据权利要求1或2所述的基板处理系统,其特征在于,
在所述基板保持构件中,沿着所述基板的旋转方向隔开间隔地设有多个用于保持所述基板的爪部,在所有的爪部上均形成有所述第1侧面部、所述第2侧面部以及所述第3侧面部。
9.根据权利要求7所述的基板处理系统,其特征在于,
多个所述爪部的间隔以朝向后方去不变的方式形成。
10.根据权利要求7所述的基板处理系统,其特征在于
多个所述爪部的间隔以朝向后方去逐渐扩大的方式形成。
11.根据权利要求7所述的基板处理系统,其特征在于,
多个所述爪部的间隔形成为,使形成于至少任意一个爪部的所述把持部把持所述基板。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造





