[发明专利]碳化硅半导体装置和用于制造碳化硅半导体装置的方法

权利要求书

1.一种碳化硅半导体装置，其特征在于，包括：

金属氧化物半导体场效应晶体管，其包括

包括碳化硅的第一或者第二导电类型的衬底，

包括碳化硅的第一导电类型的漂移层，所述漂移层布置在所述衬底 上并且具有的杂质浓度低于所述衬底的杂质浓度，

包括碳化硅的第二导电类型的基极区域，所述基极区域布置在元胞 区域中的所述漂移层上，

包括碳化硅的第一导电类型的源区域，所述源区域布置在所述基极 区域上并且具有的杂质浓度高于所述漂移层的所述杂质浓度，

多个沟槽，每个所述沟槽在纵向方向上延伸并且深于所述源区域和 所述基极区域以达到所述漂移层，所述源区域和所述基极区域布置在所述沟 槽的两侧，

第二导电类型的深层，所述深层布置在两个相邻沟槽之间的所述基 极区域下方的所述漂移层的表面部分中，所述深层的底部布置在每个所述沟 槽的底部的下方，

栅绝缘膜，其布置在每个所述沟槽的表面上，

栅极，其布置在每个所述沟槽中的所述栅绝缘膜上，

层间绝缘膜，其覆盖所述栅极和所述栅绝缘膜，所述层间绝缘膜具 有接触孔，

源极，其通过所述接触孔电连接至所述源区域和所述基极区域，以 及

漏极，其布置在所述衬底的背侧上；以及

周边高击穿电压结构，其在凹台式结构的底部包括第二导电类型杂质层， 所述凹台式结构布置在围绕所述元胞区域的周边区域上，所述台式结构深于 所述源区域和所述基极区域以达到所述漂移层，其中，

所述源区域具有第一凹部，

每个所述沟槽从所述第一凹部的底部延伸，所述栅绝缘膜具有顺着所述 第一凹部的形状的延伸部，以及

所述栅极的顶表面齐平于或者低于所述延伸部的顶表面。

2.根据权利要求1所述的碳化硅半导体装置，其特征在于，掩蔽氧化膜 由氧化所述栅极形成，并且所述栅极的所述掩蔽氧化膜的顶表面齐平于或者 低于所述延伸部的所述顶表面。

3.根据权利要求1所述的碳化硅半导体装置，其特征在于，所述金属氧 化物半导体场效应晶体管是反转类型金属氧化物半导体场效应晶体管，其中， 通过控制对栅极的施加电压使反转通道区域形成在所述基极区域至所述沟槽 的边界区中，使得电流通过所述源区域和所述漂移区域在所述源极和所述漏 极之间流动。