[发明专利]半导体装置以及半导体装置的制造方法

说明书

本发明提供抑制了耐压的降低的半导体装置以及半导体装置的制造方法。该半导体装置具备：半导体基板；第一导电型的第一半导体区域，其形成于半导体基板的主面部，并且为从与主面部垂直的方向观察包括以规定的宽度沿规定的方向延伸的延伸部的形状；第一导电型的第二半导体区域，其以远离第一半导体区域的方式形成于主面部，并且为从与主面部垂直的方向观察包括沿着第一半导体区域的延伸部的部分的形状；电场缓和层，其形成于主面部的第二半导体区域侧，并且由与第一导电型不同的导电型的第二导电型的半导体层形成；以及导电体，其与第二半导体区域连接并且该导电体的第一半导体区域侧的端部位于电场缓和层的范围内。

技术领域

本发明涉及半导体装置以及半导体装置的制造方法。

背景技术

在高功率用途的半导体装置中，为了维持高耐压而悉心钻研着。例如，作为现有技术的高耐压用途的半导体装置，公知有专利文献1所公开的场效应晶体管。

在图6以及图7示出上述专利文献1所公开的场效应晶体管50。图6示出场效应晶体管50的俯视图，图7(a)示出场效应晶体管50的图6所示的C－C’剖视图，图7(b)示出场效应晶体管50的图6所示的D－D’剖视图。场效应晶体管50是所谓的指形的结构的场效应晶体管。

如图6所示，场效应晶体管50为U字型的漏极层116被源极层114包围，并且，源极层114的一部分亦即突起状的指形部F进入U字型的漏极层116之间的构成。

沿着源极层114形成有栅电极118，在栅电极118与漏极层116之间形成有场氧化膜120。而且，子接触层128包围源极层114的外侧，子接触层128的一部分也进入指形部F。在源极层114、漏极层116、以及子接触层128，分别经由触点与金属布线130连接，但在图6中，仅图示与漏极层116连接的金属布线130。

指形部F附近的剖面结构如图7(a)所示，漏极层116以杂质在基板112扩散的方式形成，相同的导电型的漂移层122在该漏极层116的外侧扩散。漏极层116经由触点132与金属布线130连接。

另外，源极层114以杂质在基板112扩散的方式形成，Vt(阈值)调整层124在该源极层114的外侧扩散。并且，子接触层128在Vt调整层124内扩散，在该子接触层128和源极层114，均经由触点132与金属布线130连接。如图7(a)所示，相互对置的漂移层122的端部与Vt调整层124的端部的距离为c。

另一方面，漏极层116的U字型的外侧部分的剖面结构如图7(b)所示，为与上述指形部F附近的剖面结构几乎相同的结构，但漂移层122的端部与Vt调整层124的端部的距离为d(＜c)，另外，在场氧化膜120的下部形成有电场缓和层126。

在专利文献1中，通过上述那样的结构，与相同程度尺寸的现有技术提供的场效应晶体管相比，得到了源极与漏极之间的更高的击穿电压。

专利文献1：日本特开平5－259454号公报

然而，在专利文献1所公开的场效应晶体管50中，在指形部F附近未设置有电场缓和层，另外，也未对漏极层116周边的金属布线实施特别的手段。因此，存在指形部F的附近、特别是指形部F的前端部PF附近中的电场缓和不充分，在对漏极层或者源极层施加了高电压的情况下，容易在指形部F、特别是前端部PF发生绝缘破坏这样的问题。

发明内容

本发明是为了解决上述的课题而提出的，其目的在于，提供抑制了耐压的降低的半导体装置以及半导体装置的制造方法。