[发明专利]一种阵列基板及其制备方法、显示装置

权利要求书

1.一种阵列基板，其特征在于，包括多个薄膜晶体管和具有至少一个树脂过孔的树脂层，所述薄膜晶体管包括源极、漏极、栅极、有源区，至少部分树脂过孔处的树脂层下方设有用于降低树脂过孔处端差的端差调整层。

2.根据权利要求1所述的阵列基板，其特征在于，所述阵列基板包括像素区和非像素区，所述像素区中设有所述树脂层，并具有树脂过孔，所述像素区的树脂层的树脂过孔处设有所述端差调整层。

3.根据权利要求2所述的阵列基板，其特征在于，所述漏极设于像素区中且被树脂层覆盖，漏极上方的树脂层中设有树脂过孔，所述端差调整层位于漏极下方，且端差调整层与漏极在基板上的投影至少部分重合。

4.根据权利要求3所述的阵列基板，其特征在于，所述像素区中从下到上依次设有栅极绝缘层、漏极、树脂层、钝化层、像素电极，所述端差调整层设于栅极绝缘层与漏极之间。

5.根据权利要求3所述的阵列基板，其特征在于，所述端差调整层与漏极在基板上的投影完全重合。

6.根据权利要求1所述的阵列基板，其特征在于，所述树脂层由感光树脂或非感光树脂构成。

7.根据权利要求1所述的阵列基板，其特征在于，所述树脂层厚度为1.2～3.0μm。

8.根据权利要求1所述的阵列基板，其特征在于，所述端差调整层与有源区同层。

9.根据权利要求1所述的阵列基板，其特征在于，所述端差调整层与栅极同层。

10.根据权利要求1所述的阵列基板，其特征在于，所述端差调整层厚度为0.2～0.35μm。

11.一种阵列基板的制备方法，其特征在于，包括以下步骤：

形成栅极的步骤，

形成有源区的步骤，

形成源极、漏极的步骤，

形成具有至少一个树脂过孔的树脂层的步骤，

以及形成至少部分树脂过孔处的树脂层下方的端差调整层的步骤。

12.根据权利要求11所述的阵列基板的制备方法，其特征在于，所述形成有源区的步骤与所述形成源极、漏极的步骤非一步形成。

13.根据权利要求11所述的阵列基板的制备方法，其特征在于，所述形成有源区的步骤与所述形成至少部分树脂过孔处的树脂层下方的端差调整层的步骤为一步形成。

14.根据权利要求11所述的阵列基板的制备方法，其特征在于，所述形成栅极的步骤与所述形成至少部分树脂过孔处的树脂层下方的端差调整层的步骤为一步形成。

15.一种显示装置，其特征在于，包括权利要求1-10任一项所述的阵列基板。