[发明专利]探测器背板及其制作方法、X射线平板探测器、摄像系统

说明书

本发明提供了一种探测器背板及其制作方法、X射线平板探测器、摄像系统，该探测器背板包括基底以及形成在所述基底上的开关单元阵列、第一电极图形和第二电极图形，所述第一电极图形中的各个第一电极与所述开关单元阵列中的一个开关单元对应相连，并与所述第二电极图形中的第二电极构成存储电容，各个第一电极朝向光电转换层的一面为漫反射面。本发明提供的探测器背板中，由于各个第一电极朝向光电转换层的一面为漫反射面，能够将光线分散反射回光电转换层中，从而被光电转换层充分的吸收并转换为电流。这样就提高了入射到相应的探测器中的光线的利用率。

技术领域

本发明涉及显示技术领域，尤其涉及一种探测器背板及其制作方法、X射线平板探测器、摄像系统。

背景技术

近年来平板探测技术取得飞跃性的发展，平板探测技术可分为直接和间接两类，间接平板探测器其关键部件是获取图像的平板探测器(FPD)，X射线平板探测器包括阵列基板，该阵列基板包括X射线转化层，阵列基板的每个检测单元中包括薄膜晶体管和非晶硅光电二极管。非晶硅光电二极管在反向电压作用下开始工作，当X射线照射阵列基板时，X射线转化层将X射线转化为可见光，再由非晶硅光电二极管将可见光转化为电信号，并进行存储，在驱动电路的作用下，薄膜晶体管被逐行开启，光电二极管所转换的电荷被传输到数据处理电路，数据处理电路会对电信号作进一步的放大、模/数转换等处理，最终获得图像信息。

非晶硅光电二极管中的非晶硅薄膜存在光致衰退效应，导致光电二极管经长时间光照后光电转化效率下降。为了减少光致衰退现象的发生，可以将非晶硅薄膜的厚度减薄，而减薄非晶硅薄膜厚度，入射光不能充分地被吸收，会有大量的光透过光电二极管元件，降低光电二极管的转化效率。

因此，如何提高入射光的利用率成为本发明亟待解决的技术问题。

发明内容

本发明的一个目的在于提高X射线平板探测器中的入射光的利用率。

第一方面，本发明提供了一种探测器背板，包括基底以及形成在所述基底上的开关单元阵列、第一电极图形和第二电极图形，所述第一电极图形中的各个第一电极与所述开关单元阵列中的一个开关单元对应相连，并与所述第二电极图形中的第二电极构成存储电容，各个第一电极朝向光电转换层的一面为漫反射面。

进一步的，还包括形成在所述开关单元阵列背离所述基底一面上的介电层图形，所述介电层图形具有过孔，所述第一电极图形的第一电极通过所述过孔与所述开关单元阵列中的开关单元相连；

所述介电层图形朝向所述第一电极图形的一面为非平坦面；所述第一电极图形沉积在所述介电层图形的非平坦面上，形成朝向所述光电转换层的漫反射面。

进一步的，所述介电层图形包括有机绝缘层图形和形成在所述第一有机绝缘层图形与所述第一电极图形之间的钝化层图形，所述钝化层图形朝向所述第一电极的一面为非平坦面。

进一步的，所述第一电极图形的材质为金属。

进一步的，还包括：光电转换层和第三电极层，所述第三电极层形成在所述第一电极层背离所述基底的方向上，所述光电转换层形成在所述第一电极图形和第三电极层之间。

第二方面，本发明还提供了一种探测器背板的制作方法，包括：

在基底上形成开关单元阵列、第一电极图形和第二电极图形，所述第一电极图形中的各个第一电极与所述开关单元阵列中的一个开关单元对应相连，并与所述第二电极图形中的第二电极构成存储电容，且各个第一电极朝向光电转换层的一面为漫反射面。

进一步的，还包括：

在所述开关单元阵列背离所述基底一面上形成介电层图形，所述介电层图形具有过孔，所述第一电极图形的第一电极通过所述过孔与所述开关单元阵列中的开关单元相连；且所述介电层图形背离所述基底的一面为非平坦面；

形成第一电极图形的步骤包括：